3DG512C - описание и поиск аналогов

 

3DG512C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3DG512C

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO18

 Аналоги (замена) для 3DG512C

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DG512C даташит

 ..1. Size:101K  china
 3dg512c.pdf pdf_icon

3DG512C

3DG512C NPN PCM TA=25 1 W ICM 2 A Tjm 175 V(BR)CBO ICB=0.1mA 140 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 140 V ICBO VCB=30V 1.0 A ICEO VCE=30V 1.0 A VBEsat 0.5 IC=500mA V IB=50mA VCEsat 1.3 VCE=2V hFE 50 IC=500mA 1. E

 8.1. Size:103K  china
 3dg512b.pdf pdf_icon

3DG512C

3DG512B NPN PCM 1 W ICM 2 A Tjm 175 V(BR)CBO ICB=0.1mA 130 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 90 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 8 V ICBO VCB=30V 1 A ICEO VCE=30V 1 A VBEsat 1.3 IC=500mA V IB=50mA VCEsat 0.5 VCE=2V hFE 60 IC=100mA 1.

Другие транзисторы... 3DG4097 , 3DG4115S , 3DG4155A , 3DG42 , 3DG4401 , 3DG458 , 3DG5088 , 3DG512B , BDT88 , 3DG531 , 3DG535 , 3DG536KM , 3DG536M , 3DG5401 , 3DG5551 , 3DG5770 , 3DG6 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.