Справочник транзисторов. 3DG512C

 

Биполярный транзистор 3DG512C - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 3DG512C

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50

Корпус транзистора: TO18

Аналоги (замена) для 3DG512C

 

 

3DG512C Datasheet (PDF)

1.1. 3dg512c.pdf Size:101K _china

3DG512C

3DG512C 型 NPN 硅高频小功率晶体管 参数符号 测试条件 规范值 单位 PCM TA=25℃ 1 W 极 限 ICM 2 A 值 Tjm 175 ℃ V(BR)CBO ICB=0.1mA ≥140 V V(BR)CEO ICE=0.1mA ≥140 V ICBO VCB=30V ≤1.0 μA 直 ICEO VCE=30V ≤1.0 μA 流 参 VBEsat ≤0.5 IC=500mA V 数 IB=50mA VCEsat ≤1.3 VCE=2V hFE ≥50 IC=500mA 外 引 1. E 发射极

4.1. 3dg512b.pdf Size:103K _china

3DG512C

3DG512B 型 NPN 硅高频小功率晶体管 参数符号 测试条件 规范值 单位 PCM 1 W 极 限 ICM 2 A 值 Tjm 175 ℃ V(BR)CBO ICB=0.1mA ≥130 V V(BR)CEO ICE=0.1mA ≥90 V V(BR)EBO IEB=0.1mA ≥8 V 直 ICBO VCB=30V ≤1 μA 流 ICEO VCE=30V ≤1 μA 参 VBEsat ≤1.3 IC=500mA 数 V IB=50mA VCEsat ≤0.5 VCE=2V hFE ≥60 IC=100mA 外 引 1.

 

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 431 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

 

 
Back to Top