Биполярный транзистор 3DG512C - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3DG512C
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: TO18
3DG512C Datasheet (PDF)
3dg512c.pdf
3DG512C NPN PCM TA=25 1 W ICM 2 A Tjm 175 V(BR)CBO ICB=0.1mA 140 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 140 V ICBO VCB=30V 1.0 A ICEO VCE=30V 1.0 A VBEsat 0.5 IC=500mA V IB=50mA VCEsat 1.3 VCE=2V hFE 50 IC=500mA 1. E
3dg512b.pdf
3DG512B NPN PCM 1 W ICM 2 A Tjm 175 V(BR)CBO ICB=0.1mA 130 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 90 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 8 V ICBO VCB=30V 1 A ICEO VCE=30V 1 A VBEsat 1.3 IC=500mA V IB=50mA VCEsat 0.5 VCE=2V hFE 60 IC=100mA 1.
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050