3DG512C Todos los transistores

 

3DG512C . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3DG512C

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W

Tensión colector-base (Vcb): 140 V

Tensión colector-emisor (Vce): 140 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hfe): 50

Empaquetado / Estuche: TO18

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 3DG512C

 

3DG512C Datasheet (PDF)

1.1. 3dg512c.pdf Size:101K _china

3DG512C

3DG512C 型 NPN 硅高频小功率晶体管 参数符号 测试条件 规范值 单位 PCM TA=25℃ 1 W 极 限 ICM 2 A 值 Tjm 175 ℃ V(BR)CBO ICB=0.1mA ≥140 V V(BR)CEO ICE=0.1mA ≥140 V ICBO VCB=30V ≤1.0 μA 直 ICEO VCE=30V ≤1.0 μA 流 参 VBEsat ≤0.5 IC=500mA V 数 IB=50mA VCEsat ≤1.3 VCE=2V hFE ≥50 IC=500mA 外 引 1. E 发射极

4.1. 3dg512b.pdf Size:103K _china

3DG512C

3DG512B 型 NPN 硅高频小功率晶体管 参数符号 测试条件 规范值 单位 PCM 1 W 极 限 ICM 2 A 值 Tjm 175 ℃ V(BR)CBO ICB=0.1mA ≥130 V V(BR)CEO ICE=0.1mA ≥90 V V(BR)EBO IEB=0.1mA ≥8 V 直 ICBO VCB=30V ≤1 μA 流 ICEO VCE=30V ≤1 μA 参 VBEsat ≤1.3 IC=500mA 数 V IB=50mA VCEsat ≤0.5 VCE=2V hFE ≥60 IC=100mA 外 引 1.

 

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Liste

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