3DG512C . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DG512C
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
Tensión colector-base (Vcb): 140 V
Tensión colector-emisor (Vce): 140 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
Empaquetado / Estuche: TO18
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 3DG512C
3DG512C Datasheet (PDF)
1.1. 3dg512c.pdf 
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3DG512C 型 NPN 硅高频小功率晶体管 参数符号 测试条件 规范值 单位 PCM TA=25℃ 1 W 极 限 ICM 2 A 值 Tjm 175 ℃ V(BR)CBO ICB=0.1mA ≥140 V V(BR)CEO ICE=0.1mA ≥140 V ICBO VCB=30V ≤1.0 μA 直 ICEO VCE=30V ≤1.0 μA 流 参 VBEsat ≤0.5 IC=500mA V 数 IB=50mA VCEsat ≤1.3 VCE=2V hFE ≥50 IC=500mA 外 引 1. E 发射极
4.1. 3dg512b.pdf Size:103K _china
3DG512B 型 NPN 硅高频小功率晶体管 参数符号 测试条件 规范值 单位 PCM 1 W 极 限 ICM 2 A 值 Tjm 175 ℃ V(BR)CBO ICB=0.1mA ≥130 V V(BR)CEO ICE=0.1mA ≥90 V V(BR)EBO IEB=0.1mA ≥8 V 直 ICBO VCB=30V ≤1 μA 流 ICEO VCE=30V ≤1 μA 参 VBEsat ≤1.3 IC=500mA 数 V IB=50mA VCEsat ≤0.5 VCE=2V hFE ≥60 IC=100mA 外 引 1.
Otros transistores... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 431 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
