Справочник транзисторов. 3DG536M

 

Биполярный транзистор 3DG536M - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 3DG536M
   Маркировка: H53D_H53E_H53F_H53G_H53H
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для 3DG536M

 

 

3DG536M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:219K  lzg
3dg536m.pdf

3DG536M
3DG536M

2SC536M(3DG536M) 2SC536KM(3DG536KM) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Small signal general purpose amplifier applications. /Absolute Maximum Ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit 3DG536M 40 VCBO V 3DG536KM 55 3DG536M 30 V V CEO 3DG536KM 50 V 5.0 V EBOI 10

 8.1. Size:620K  blue-rocket-elect
br3dg536k.pdf

3DG536M
3DG536M

2SC536(BR3DG536K) 2SC536K(BR3DG536K) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-92 NPN Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package. / Features Large current capacity and wide ASO / Applications Small signal general purpose amplifier appl

 8.2. Size:219K  lzg
3dg536km.pdf

3DG536M
3DG536M

2SC536M(3DG536M) 2SC536KM(3DG536KM) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Small signal general purpose amplifier applications. /Absolute Maximum Ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit 3DG536M 40 VCBO V 3DG536KM 55 3DG536M 30 V V CEO 3DG536KM 50 V 5.0 V EBOI 10

 9.1. Size:109K  china
3dg531.pdf

3DG536M

3DG531(FG531) NPN A B C D PCM TA=25 700 mW ICM 200 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 30 40 50 V V(BR)CEO ICE=1mA 25 35 40 V V(BR)EBO IEB=1mA 3.0 4.0 V ICEO VCE=20V 0.5 mA IC=100mA VCEsat 0.5 V IB=10mA VCE=10V hFE 20 IC=5

 9.2. Size:192K  lzg
3dg535.pdf

3DG536M
3DG536M

2SC535(3DG535) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : VHF ,, Purpose: VHF amplifier, mixer, local oscillator. /Absolute Maximum Ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V 30 V CBO V 20 V CEO V 4.0 V EBO I 20 mA C P 100 mW C T 150 j T -55150 stg

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 2SC945 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top