Справочник транзисторов. 3DG536M

 

Биполярный транзистор 3DG536M Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3DG536M
   Маркировка: H53D_H53E_H53F_H53G_H53H
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для 3DG536M

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DG536M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:219K  lzg
 3dg536m.pdf pdf_icon

3DG536M

2SC536M(3DG536M) 2SC536KM(3DG536KM) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Small signal general purpose amplifier applications. /Absolute Maximum Ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit 3DG536M 40 VCBO V 3DG536KM 55 3DG536M 30 V V CEO 3DG536KM 50 V 5.0 V EBOI 10

 8.1. Size:620K  blue-rocket-elect
 br3dg536k.pdf pdf_icon

3DG536M

2SC536(BR3DG536K) 2SC536K(BR3DG536K) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-92 NPN Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package. / Features Large current capacity and wide ASO / Applications Small signal general purpose amplifier appl

 8.2. Size:219K  lzg
 3dg536km.pdf pdf_icon

3DG536M

2SC536M(3DG536M) 2SC536KM(3DG536KM) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Small signal general purpose amplifier applications. /Absolute Maximum Ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit 3DG536M 40 VCBO V 3DG536KM 55 3DG536M 30 V V CEO 3DG536KM 50 V 5.0 V EBOI 10

 9.1. Size:109K  china
 3dg531.pdf pdf_icon

3DG536M

3DG531(FG531) NPN A B C D PCM TA=25 700 mW ICM 200 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 30 40 50 V V(BR)CEO ICE=1mA 25 35 40 V V(BR)EBO IEB=1mA 3.0 4.0 V ICEO VCE=20V 0.5 mA IC=100mA VCEsat 0.5 V IB=10mA VCE=10V hFE 20 IC=5

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 3DG4401 , 3DG458 , 3DG5088 , 3DG512B , 3DG512C , 3DG531 , 3DG535 , 3DG536KM , C945 , 3DG5401 , 3DG5551 , 3DG5770 , 3DG6 , 3DG639 , 3DG6520 , 3DG718A , 3DG720 .

History: 2N5525 | 2N963 | OC831 | C40-28 | 2N5495

 

 
Back to Top

 


 
.