3DG536M Todos los transistores

 

3DG536M . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3DG536M
   Código: H53D_H53E_H53F_H53G_H53H
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 3.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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3DG536M Datasheet (PDF)

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3DG536M

2SC536M(3DG536M) 2SC536KM(3DG536KM) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Small signal general purpose amplifier applications. /Absolute Maximum Ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit 3DG536M 40 VCBO V 3DG536KM 55 3DG536M 30 V V CEO 3DG536KM 50 V 5.0 V EBOI 10

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3DG536M

2SC536(BR3DG536K) 2SC536K(BR3DG536K) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-92 NPN Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package. / Features Large current capacity and wide ASO / Applications Small signal general purpose amplifier appl

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3DG536M

2SC536M(3DG536M) 2SC536KM(3DG536KM) NPN /SILICON NPN TRANSISTOR : Purpose: Small signal general purpose amplifier applications. /Absolute Maximum Ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit 3DG536M 40 VCBO V 3DG536KM 55 3DG536M 30 V V CEO 3DG536KM 50 V 5.0 V EBOI 10

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3DG536M

3DG531(FG531) NPN A B C D PCM TA=25 700 mW ICM 200 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 30 40 50 V V(BR)CEO ICE=1mA 25 35 40 V V(BR)EBO IEB=1mA 3.0 4.0 V ICEO VCE=20V 0.5 mA IC=100mA VCEsat 0.5 V IB=10mA VCE=10V hFE 20 IC=5

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History: BCW16K | BC848CW | 2N389-1 | SFT125 | NKT272 | 2T928B | 2N6040G

 

 
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