Справочник транзисторов. 3DG6

 

Биполярный транзистор 3DG6 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 3DG6
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: TO92 SOT23 TO18

 Аналоги (замена) для 3DG6

 

 

3DG6 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:128K  china
3dg6.pdf

3DG6

3DG6 NPN A B C D PCM 100 mW ICM 20 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 30 45 45 45 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 15 20 20 30 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=10V 0.1 0.01 A ICEO VCE=10V 0.1 0.01 A IEBO VEB=1.5V

 0.1. Size:121K  china
3dg639.pdf

3DG6

3DG639 NPN PCM TA=25 830 mW ICM 1.5 A Tjm 150 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 100 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 80 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 5.0 V ICBO VCB=30V 0.1 A IEBO VEB=5V 0.1 A VBEsat 1.0 IC=500mA V IB=50mA VCEsat 0.5 VCE=2V

 0.2. Size:366K  lzg
3dg6520.pdf

3DG6
3DG6

2N6520(3DG6520) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose: High voltage control circuit application. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -350 V CBO V -350 V CEO V -5.0 V EBO I -500 mA C I -250 mA B P 625 mW CT 150 j T -55150 stg

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 2SC945 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top