3DG6 - описание и поиск аналогов

 

3DG6 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 3DG6
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: TO92 SOT23 TO18

 Аналоги (замена) для 3DG6

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DG6 - технические параметры

 ..1. Size:128K  china
 3dg6.pdf pdf_icon

3DG6

 0.1. Size:121K  china
 3dg639.pdf pdf_icon

3DG6

3DG639 NPN PCM TA=25 830 mW ICM 1.5 A Tjm 150 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 100 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 80 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 5.0 V ICBO VCB=30V 0.1 A IEBO VEB=5V 0.1 A VBEsat 1.0 IC=500mA V IB=50mA VCEsat 0.5 VCE=2V

 0.2. Size:366K  lzg
 3dg6520.pdf pdf_icon

3DG6

Другие транзисторы... 3DG512C , 3DG531 , 3DG535 , 3DG536KM , 3DG536M , 3DG5401 , 3DG5551 , 3DG5770 , 2N5551 , 3DG639 , 3DG6520 , 3DG718A , 3DG720 , 3DG752TM , 3DG8 , 3DG8050 , 3DG8050A .

 

 
Back to Top

 


 
.