Биполярный транзистор 3DG6 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3DG6
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
Корпус транзистора: TO92 SOT23 TO18
3DG6 Datasheet (PDF)
3dg6.pdf
3DG6 NPN A B C D PCM 100 mW ICM 20 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 30 45 45 45 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 15 20 20 30 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=10V 0.1 0.01 A ICEO VCE=10V 0.1 0.01 A IEBO VEB=1.5V
3dg639.pdf
3DG639 NPN PCM TA=25 830 mW ICM 1.5 A Tjm 150 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 100 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 80 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 5.0 V ICBO VCB=30V 0.1 A IEBO VEB=5V 0.1 A VBEsat 1.0 IC=500mA V IB=50mA VCEsat 0.5 VCE=2V
3dg6520.pdf
2N6520(3DG6520) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR :/Purpose: High voltage control circuit application. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -350 V CBO V -350 V CEO V -5.0 V EBO I -500 mA C I -250 mA B P 625 mW CT 150 j T -55150 stg
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 13009 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050 | HSA1037AKS | HSA1037AKR | HSA1037AKQ