3DG639 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DG639  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.83 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO92 SOT23 TO18

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DG639

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DG639 даташит

 ..1. Size:121K  china
 3dg639.pdf pdf_icon

3DG639

3DG639 NPN PCM TA=25 830 mW ICM 1.5 A Tjm 150 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 100 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 80 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 5.0 V ICBO VCB=30V 0.1 A IEBO VEB=5V 0.1 A VBEsat 1.0 IC=500mA V IB=50mA VCEsat 0.5 VCE=2V

Другие транзисторы: 3DG531, 3DG535, 3DG536KM, 3DG536M, 3DG5401, 3DG5551, 3DG5770, 3DG6, C945, 3DG6520, 3DG718A, 3DG720, 3DG752TM, 3DG8, 3DG8050, 3DG8050A, 3DG8050M