Справочник транзисторов. 3DG639

 

Биполярный транзистор 3DG639 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 3DG639
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.83 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO92 SOT23 TO18

 Аналоги (замена) для 3DG639

 

 

3DG639 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:121K  china
3dg639.pdf

3DG639

3DG639 NPN PCM TA=25 830 mW ICM 1.5 A Tjm 150 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 100 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 80 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 5.0 V ICBO VCB=30V 0.1 A IEBO VEB=5V 0.1 A VBEsat 1.0 IC=500mA V IB=50mA VCEsat 0.5 VCE=2V

Другие транзисторы... BC507FA , BC507FB , BC508 , BC508A , BC508B , BC508C , BC508F , BC508FA , 2N3055 , BC508FC , BC509 , BC509B , BC509C , BC509F , BC509FB , BC509FC , BC510 .

 

 
Back to Top