3DK001 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DK001  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO3

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DK001

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DK001 даташит

 ..1. Size:185K  china
 3dk001.pdf pdf_icon

3DK001

3DK001 NPN A B C D E PCM TC=25 1 W ICM 0.2 A Tjm 175 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 150 /W IC=0.03A V(BR)CBO ICB=1mA 25 50 100 150 200 V V(BR)CEO ICE=1mA 25 50 100 150 200 V V(BR)EBO IEB=1mA 5.0 V ICBO VCB=20V 1.0 mA ICEO V

 9.1. Size:159K  china
 3dk002.pdf pdf_icon

3DK001

3DK002 NPN A B C D PCM TC=25 30 W ICM 3 A Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=5mA 40 60 80 100 V V(BR)CEO ICE=5mA 40 60 80 100 V V(BR)EBO IEB=1mA 5.0 V ICEO VCE=30V 0.5 mA VBEsat 1.6 IC=1A V IB=0.1A VCEsat 0.5 VCE

Другие транзисторы: 3DG817, 3DG82, 3DG847B, 3DG9013, 3DG9014, 3DG930, 3DG945, 3DG945M, 13009, 3DK002, 3DK010, 3DK023F, 3DK024E, 3DK030, 3DK050, 3DK10, 3DK100