3SC2655 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3SC2655  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 7

Корпус транзистора: TO3 TO18

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3SC2655

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3SC2655 даташит

 ..1. Size:133K  china
 3sc2655.pdf pdf_icon

3SC2655

3DD2655(3SC2655) NPN A B C D E PCM Tc=75 0.9 W ICM 2 A Tjm 175 Tstg -55 150 VCE=10V Rth 111 /W IC=0.2A V(BR)CBO ICB=0.1mA 20 35 50 80 120 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 20 35 50 80 120 V V(BR)EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=10V 20 A

Другие транзисторы: 3DK8, 3DK9, 3N1151GP, 3N13003GP, 3N440GP, 3N772GP, 3N882GP, 3RA2114, BC639, 3STF1640, 3STL2540, PH0814-40, PH1090-15L, PH1090-175L, PH1090-350L, PH1090-55S, PH1090-700B