Справочник транзисторов. 3SC2655

 

Биполярный транзистор 3SC2655 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 3SC2655

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 7

Корпус транзистора: TO3_TO18

Аналоги (замена) для 3SC2655

 

 

3SC2655 Datasheet (PDF)

1.1. 3sc2655.pdf Size:133K _china

3SC2655

3DD2655(3SC2655)型 NPN 硅低频大功率晶体管 规范值 参数符号 测试条件 单位 A B C D E PCM Tc=75℃ 0.9 W ICM 2 A 极 Tjm 175 ℃ 限 Tstg -55~150 ℃ 值 VCE=10V Rth 111 ℃/W IC=0.2A V(BR)CBO ICB=0.1mA ≥20 ≥35 ≥50 ≥80 ≥120 V V(BR)CEO ICE=0.1mA ≥20 ≥35 ≥50 ≥80 ≥120 V V(BR)EBO IEB=0.1mA ≥4.0 V ICBO VCB=10V ≤20 µA 直

Другие транзисторы... 2SC628 , 2SC629 , 2SC63 , 2SC631 , 2SC631A , 2SC631AS , 2SC632 , 2SC632A , BC547C , 2SC633A , 2SC634 , 2SC634A , 2SC635 , 2SC636 , 2SC637 , 2SC638 , 2SC639 .

 

 
Back to Top

 


3SC2655
  3SC2655
  3SC2655
 

social 

Список транзисторов

Обновления

BJT: CHDTC114EKPT | CE1A3Q | 2SC6089 | 2SC4714 | 2SD1047C | 2SB817C | FW26025A1 | 2T665B9 | 2T665A9 | MJ13001A | HSC2682 | MRF660 | MP1620 | HLD133D | BFR360F | AV8050S | 3DD5027 | 3DD2901 | 3DD2102 | 3DD313 |

 

 

 

 

Back to Top