Биполярный транзистор PH1113-100 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: PH1113-100
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 350 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 70 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 9 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1300 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8
Корпус транзистора: CERAMIC
Аналоги (замена) для PH1113-100
PH1113-100 Datasheet (PDF)
ph1113-100.pdf
PH1113-100 Radar Pulsed Power Transistor M/A-COM Products 100W, 1.1-1.3 GHz, 3s Pulse, 30% Duty Released, 30 May 07 Features Outline Drawing NPN silicon microwave power transistors Common base configuration Broadband Class C operation High efficiency inter-digitized geometry Diffused emitter ballasting resistors Gold metallization system Interna
tph1110enh.pdf
TPH1110ENHMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TPH1110ENHTPH1110ENHTPH1110ENHTPH1110ENH1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Small gate charge: QSW = 2.6 nC (typ.)(3) Low drain-source on-resista
tph1110fnh.pdf
TPH1110FNHMOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS-H)TPH1110FNHTPH1110FNHTPH1110FNHTPH1110FNH1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications High-Efficiency DC-DC Converters Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) High-speed switching(2) Small gate charge: QSW = 4.2 nC (typ.)(3) Low drain-source on-resista
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 13009 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
