PH3135-5M datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PH3135-5M  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3500 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8.5

Корпус транзистора: CERAMIC

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PH3135-5M

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PH3135-5M даташит

 ..1. Size:101K  macom
 ph3135-5m.pdf pdf_icon

PH3135-5M

PH3135-5M Radar Pulsed Power Transistor M/A-COM Products 5W, 3.1-3.5 GHz, 100 s Pulse, 10% Duty Released, 10 Jul 07 Features Outline Drawing NPN silicon microwave power transistors Common base configuration Broadband Class C operation High efficiency inter-digitized geometry Diffused emitter ballasting resistors Gold metallization system Internal

 7.1. Size:94K  macom
 ph3135-90s.pdf pdf_icon

PH3135-5M

PH3135-90S Radar Pulsed Power Transistor M/A-COM Products 90W, 3.1-3.5 GHz, 2 s Pulse, 10% Duty Released, 10 Aug 07 Features Outline Drawing NPN silicon microwave power transistors Common base configuration Broadband Class C operation High efficiency inter-digitized geometry Diffused emitter ballasting resistors Gold metallization system Internal

 7.2. Size:95K  macom
 ph3135-25s.pdf pdf_icon

PH3135-5M

PH3135-25S Radar Pulsed Power Transistor M/A-COM Products 25W, 3.1-3.5 GHz, 2 s Pulse, 10% Duty Released, 10 Aug 07 Features Outline Drawing NPN silicon microwave power transistors Common base configuration Broadband Class C operation High efficiency inter-digitized geometry Diffused emitter ballasting resistors Gold metallization system Internal

 7.3. Size:101K  macom
 ph3135-65m.pdf pdf_icon

PH3135-5M

PH3135-65M Radar Pulsed Power Transistor M/A-COM Products 65W, 3.1-3.5 GHz, 100 s Pulse, 10% Duty Released, 10 Aug 07 Features Outline Drawing NPN silicon microwave power transistors Common base configuration Broadband Class C operation High efficiency inter-digitized geometry Diffused emitter ballasting resistors Gold metallization system Intern

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: PH3134-10M, PH3134-20L, PH3134-25M, PH3134-30S, PH3134-55L, PH3134-65M, PH3135-20M, PH3135-25S, TIP3055, PH3135-65M, PH3135-90S, PHPT60406NY, PHPT60406PY, PHPT60410NY, PHPT60410PY, PHPT60415NY, PHPT60415PY