Справочник транзисторов. PHPT60406NY

 

Биполярный транзистор PHPT60406NY Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PHPT60406NY
   Маркировка: 0406NAB
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 153 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 41 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: SOT669
 

 Аналог (замена) для PHPT60406NY

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PHPT60406NY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:236K  nxp
phpt60406ny.pdfpdf_icon

PHPT60406NY

PHPT60406NY40 V, 6 A NPN high power bipolar transistor8 December 2014 Product data sheet1. General descriptionNPN high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device(SMD) power plastic package.PNP complement: PHPT60406PY2. Features and benefits High thermal power dissipation capability High temperature applications up to 175 C Reduced Printe

 5.1. Size:230K  nxp
phpt60406py.pdfpdf_icon

PHPT60406NY

PHPT60406PY40 V, 6 A PNP high power bipolar transistor8 December 2014 Product data sheet1. General descriptionPNP high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device(SMD) power plastic package.NPN complement: PHPT60406NY.2. Features and benefits High thermal power dissipation capability Suitable for high temperature applications up to 175 C

 7.1. Size:233K  nxp
phpt60410ny.pdfpdf_icon

PHPT60406NY

PHPT60410NY40 V, 10 A NPN high power bipolar transistor27 January 2015 Product data sheet1. General descriptionNPN high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-MountedDevice (SMD) power plastic package.PNP complement: PHPT60410PY2. Features and benefits High thermal power dissipation capability High temperature applications up to 175 C Reduced Print

 7.2. Size:245K  nxp
phpt60410py.pdfpdf_icon

PHPT60406NY

PHPT60410PY40 V, 10 A PNP high power bipolar transistor21 January 2015 Product data sheet1. General descriptionPNP high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-MountedDevice (SMD) power plastic package.NPN complement: PHPT60410NY2. Features and benefits High thermal power dissipation capability Suitable for high temperature applications up to 175 C

Другие транзисторы... PH3134-30S , PH3134-55L , PH3134-65M , PH3135-20M , PH3135-25S , PH3135-5M , PH3135-65M , PH3135-90S , TIP42C , PHPT60406PY , PHPT60410NY , PHPT60410PY , PHPT60415NY , PHPT60415PY , PHPT60603NY , PHPT60603PY , PHPT60606NY .

History: F114 | G6004 | TIP35D

 

 
Back to Top

 


 
.