Биполярный транзистор PHPT60410NY - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: PHPT60410NY
Маркировка: 0410NAB
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 128 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 57 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 230
Корпус транзистора: SOT669
Аналоги (замена) для PHPT60410NY
PHPT60410NY Datasheet (PDF)
phpt60410ny.pdf
PHPT60410NY40 V, 10 A NPN high power bipolar transistor27 January 2015 Product data sheet1. General descriptionNPN high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-MountedDevice (SMD) power plastic package.PNP complement: PHPT60410PY2. Features and benefits High thermal power dissipation capability High temperature applications up to 175 C Reduced Print
phpt60410py.pdf
PHPT60410PY40 V, 10 A PNP high power bipolar transistor21 January 2015 Product data sheet1. General descriptionPNP high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-MountedDevice (SMD) power plastic package.NPN complement: PHPT60410NY2. Features and benefits High thermal power dissipation capability Suitable for high temperature applications up to 175 C
phpt60415ny.pdf
PHPT60415NY40 V, 15 A NPN high power bipolar transistor27 May 2015 Product data sheet1. General descriptionNPN high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-MountedDevice (SMD) power plastic package.PNP complement: PHPT60415PY2. Features and benefits High thermal power dissipation capability High temperature applications up to 175 C Reduced Printed C
phpt60415py.pdf
PHPT60415PY40 V, 15 A PNP high power bipolar transistor27 May 2015 Product data sheet1. General descriptionPNP high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-MountedDevice (SMD) power plastic package.NPN complement: PHPT60415NY2. Features and benefits High thermal power dissipation capability High temperature applications up to 175 C Reduced Printed C
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
