PHPT60410NY - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

PHPT60410NY - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PHPT60410NY
   Маркировка: 0410NAB
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 128 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 57 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 230
   Корпус транзистора: SOT669

 Аналоги (замена) для PHPT60410NY

 

PHPT60410NY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:233K  nxp
 phpt60410ny.pdf pdf_icon

PHPT60410NY

PHPT60410NY 40 V, 10 A NPN high power bipolar transistor 27 January 2015 Product data sheet 1. General description NPN high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device (SMD) power plastic package. PNP complement PHPT60410PY 2. Features and benefits High thermal power dissipation capability High temperature applications up to 175 C Reduced Print

 5.1. Size:245K  nxp
 phpt60410py.pdf pdf_icon

PHPT60410NY

PHPT60410PY 40 V, 10 A PNP high power bipolar transistor 21 January 2015 Product data sheet 1. General description PNP high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device (SMD) power plastic package. NPN complement PHPT60410NY 2. Features and benefits High thermal power dissipation capability Suitable for high temperature applications up to 175 C

 6.1. Size:243K  nxp
 phpt60415ny.pdf pdf_icon

PHPT60410NY

PHPT60415NY 40 V, 15 A NPN high power bipolar transistor 27 May 2015 Product data sheet 1. General description NPN high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device (SMD) power plastic package. PNP complement PHPT60415PY 2. Features and benefits High thermal power dissipation capability High temperature applications up to 175 C Reduced Printed C

 6.2. Size:243K  nxp
 phpt60415py.pdf pdf_icon

PHPT60410NY

PHPT60415PY 40 V, 15 A PNP high power bipolar transistor 27 May 2015 Product data sheet 1. General description PNP high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device (SMD) power plastic package. NPN complement PHPT60415NY 2. Features and benefits High thermal power dissipation capability High temperature applications up to 175 C Reduced Printed C

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... PH3134-65M , PH3135-20M , PH3135-25S , PH3135-5M , PH3135-65M , PH3135-90S , PHPT60406NY , PHPT60406PY , 2N3906 , PHPT60410PY , PHPT60415NY , PHPT60415PY , PHPT60603NY , PHPT60603PY , PHPT60606NY , PHPT60606PY , PHPT60610NY .

History: NB212Y | BFV81 | 2SCR502U3HZG

 

 
Back to Top

 


 
.