PHPT60603NY datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PHPT60603NY  📄📄 

Маркировка: 0603NAB

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 17 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: SOT669

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для PHPT60603NY

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PHPT60603NY даташит

 ..1. Size:305K  nxp
 phpt60603ny.pdf pdf_icon

PHPT60603NY

PHPT60603NY 60V, 3 A NPN high power bipolar transistor 10 January 2014 Product data sheet 1. General description NPN high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device (SMD) power plastic package. PNP complement PHPT60603PY 2. Features and benefits High thermal power dissipation capability High temperature applications up to 175 C Reduced Printed

 5.1. Size:303K  nxp
 phpt60603py.pdf pdf_icon

PHPT60603NY

PHPT60603PY 60 V, 3 A PNP high power bipolar transistor 13 January 2014 Product data sheet 1. General description PNP high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device (SMD) power plastic package. NPN complement PHPT60603NY. 2. Features and benefits High thermal power dissipation capability Suitable for high temperature applications up to 175 C

 6.1. Size:230K  nxp
 phpt60606py.pdf pdf_icon

PHPT60603NY

PHPT60606PY 60 V, 6 A PNP high power bipolar transistor 9 December 2014 Product data sheet 1. General description PNP high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device (SMD) power plastic package. NPN complement PHPT60606NY. 2. Features and benefits High thermal power dissipation capability Suitable for high temperature applications up to 175 C

 6.2. Size:235K  nxp
 phpt60606ny.pdf pdf_icon

PHPT60603NY

PHPT60606NY 60 V, 6 A NPN high power bipolar transistor 8 December 2014 Product data sheet 1. General description NPN high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device (SMD) power plastic package. PNP complement PHPT60606PY 2. Features and benefits High thermal power dissipation capability High temperature applications up to 175 C Reduced Printe

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: PH3135-65M, PH3135-90S, PHPT60406NY, PHPT60406PY, PHPT60410NY, PHPT60410PY, PHPT60415NY, PHPT60415PY, 2SD718, PHPT60603PY, PHPT60606NY, PHPT60606PY, PHPT60610NY, PHPT60610PY, PHPT61002NYC, PHPT61002PYC, PHPT610030NK