Справочник транзисторов. PHPT60603NY

 

Биполярный транзистор PHPT60603NY Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PHPT60603NY
   Маркировка: 0603NAB
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 17 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: SOT669
 

 Аналог (замена) для PHPT60603NY

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PHPT60603NY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:305K  nxp
 phpt60603ny.pdf pdf_icon

PHPT60603NY

PHPT60603NY60V, 3 A NPN high power bipolar transistor10 January 2014 Product data sheet1. General descriptionNPN high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device(SMD) power plastic package.PNP complement: PHPT60603PY2. Features and benefits High thermal power dissipation capability High temperature applications up to 175 C Reduced Printed

 5.1. Size:303K  nxp
 phpt60603py.pdf pdf_icon

PHPT60603NY

PHPT60603PY60 V, 3 A PNP high power bipolar transistor13 January 2014 Product data sheet1. General descriptionPNP high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device(SMD) power plastic package.NPN complement: PHPT60603NY.2. Features and benefits High thermal power dissipation capability Suitable for high temperature applications up to 175 C

 6.1. Size:230K  nxp
 phpt60606py.pdf pdf_icon

PHPT60603NY

PHPT60606PY60 V, 6 A PNP high power bipolar transistor9 December 2014 Product data sheet1. General descriptionPNP high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device(SMD) power plastic package.NPN complement: PHPT60606NY.2. Features and benefits High thermal power dissipation capability Suitable for high temperature applications up to 175 C

 6.2. Size:235K  nxp
 phpt60606ny.pdf pdf_icon

PHPT60603NY

PHPT60606NY60 V, 6 A NPN high power bipolar transistor8 December 2014 Product data sheet1. General descriptionNPN high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device(SMD) power plastic package.PNP complement: PHPT60606PY2. Features and benefits High thermal power dissipation capability High temperature applications up to 175 C Reduced Printe

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... PH3135-65M , PH3135-90S , PHPT60406NY , PHPT60406PY , PHPT60410NY , PHPT60410PY , PHPT60415NY , PHPT60415PY , 2SC2073 , PHPT60603PY , PHPT60606NY , PHPT60606PY , PHPT60610NY , PHPT60610PY , PHPT61002NYC , PHPT61002PYC , PHPT610030NK .

History: KT897B | 2SC1236 | SF294B | SRA2206EF | GE5062 | BFR72 | BLX88

 

 
Back to Top

 


 
.