PHPT60603NY - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

PHPT60603NY - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PHPT60603NY
   Маркировка: 0603NAB
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 17 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
   Корпус транзистора: SOT669

 Аналоги (замена) для PHPT60603NY

 

PHPT60603NY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:305K  nxp
 phpt60603ny.pdf pdf_icon

PHPT60603NY

PHPT60603NY 60V, 3 A NPN high power bipolar transistor 10 January 2014 Product data sheet 1. General description NPN high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device (SMD) power plastic package. PNP complement PHPT60603PY 2. Features and benefits High thermal power dissipation capability High temperature applications up to 175 C Reduced Printed

 5.1. Size:303K  nxp
 phpt60603py.pdf pdf_icon

PHPT60603NY

PHPT60603PY 60 V, 3 A PNP high power bipolar transistor 13 January 2014 Product data sheet 1. General description PNP high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device (SMD) power plastic package. NPN complement PHPT60603NY. 2. Features and benefits High thermal power dissipation capability Suitable for high temperature applications up to 175 C

 6.1. Size:230K  nxp
 phpt60606py.pdf pdf_icon

PHPT60603NY

PHPT60606PY 60 V, 6 A PNP high power bipolar transistor 9 December 2014 Product data sheet 1. General description PNP high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device (SMD) power plastic package. NPN complement PHPT60606NY. 2. Features and benefits High thermal power dissipation capability Suitable for high temperature applications up to 175 C

 6.2. Size:235K  nxp
 phpt60606ny.pdf pdf_icon

PHPT60603NY

PHPT60606NY 60 V, 6 A NPN high power bipolar transistor 8 December 2014 Product data sheet 1. General description NPN high power bipolar transistor in a SOT669 (LFPAK56) Surface-Mounted Device (SMD) power plastic package. PNP complement PHPT60606PY 2. Features and benefits High thermal power dissipation capability High temperature applications up to 175 C Reduced Printe

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... PH3135-65M , PH3135-90S , PHPT60406NY , PHPT60406PY , PHPT60410NY , PHPT60410PY , PHPT60415NY , PHPT60415PY , 2SD718 , PHPT60603PY , PHPT60606NY , PHPT60606PY , PHPT60610NY , PHPT60610PY , PHPT61002NYC , PHPT61002PYC , PHPT610030NK .

History: RN1968CT | DDTC114EKA | MT4104 | 2SD1825 | UN6116S | RN2504 | A159C

 

 
Back to Top

 


 
.