PMD3001D. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: PMD3001D
Маркировка: 9F
Тип материала: Si
Полярность: NPN*PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.58 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 300
Корпус транзистора: SOT457
Аналоги (замена) для PMD3001D
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
PMD3001D даташит
pmd3001d.pdf
PMD3001D MOSFET driver Rev. 02 28 August 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN/PNP transistor pair connected as push-pull driver in a SOT457 (SC-74) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 1.2 Features Low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistors in push-pull configuration Application-optimized pinout Space-saving solution
wpmd3002.pdf
WPMD3002 WPMD3002 Dual P-Channel, -30V, -4.9A, Power MOSFET Http// www.willsemi.com VDS (V) Rds(on) ( ) 0.049@ VGS=-10V -30 0.070@ VGS=-4.5V Descriptions SOP-8L The WPMD3002 is the Dual P-Channel logic mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistanc
Другие транзисторы: PMD1047, PMD18D100, PMD18D80, PMD19D100, PMD19D80, PMD2001D, PMD20K200, PMD2495, BC547B, PMD313, PMD718, PMD880, PMD9001D, PMD9002D, PMD9003D, PMD9010D, PMD9050D
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
ecg123 | 2n5551 transistor equivalent | 13009 datasheet | 3dd15d transistor | pa110bda | 2sb1243 | a1123 transistor | skd502t datasheet


