Справочник транзисторов. 2N3636L

 

Биполярный транзистор 2N3636L - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2N3636L

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 175 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 175 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50

Корпус транзистора: TO5

Аналоги (замена) для 2N3636L

 

 

2N3636L Datasheet (PDF)

0.1. 2n3636l.pdf Size:227K _microsemi

2N3636L
2N3636L

TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Website: http: //www.microsemi.com RADIATION HARDENED PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/357 DEVICES LEVELS JANSM 3K Rads (Si) 2N3634 2N3635 2N3636 2N3637JANSD 10K Rads (Si) 2N3634L 2N3635L 2N3636L 2N3637LJANSP 30K Rads (Si)

8.1. 2n3634 2n3635 2n3636 2n3637.pdf Size:219K _bocasemi

2N3636L
2N3636L

Boca Semiconductor Corp. BSC http://www.bocasemi.comhttp://www.bocasemi.comhttp://www.bocasemi.comhttp://www.bocasemi.comhttp://www.bocasemi.comhttp://www.bocasemi.comhttp://www.bocasemi.com

8.2. 2n3636ub.pdf Size:227K _microsemi

2N3636L
2N3636L

TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Website: http: //www.microsemi.com RADIATION HARDENED PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/357 DEVICES LEVELS JANSM 3K Rads (Si) 2N3634 2N3635 2N3636 2N3637JANSD 10K Rads (Si) 2N3634L 2N3635L 2N3636L 2N3637LJANSP 30K Rads (Si)

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 9012 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top