2N3636L Todos los transistores

 

2N3636L . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N3636L

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 5 W

Tensión colector-base (Vcb): 175 V

Tensión colector-emisor (Vce): 175 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Capacitancia de salida (Cc): 10 pF

Ganancia de corriente contínua (hfe): 50

Empaquetado / Estuche: TO5

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N3636L

 

2N3636L Datasheet (PDF)

0.1. 2n3636l.pdf Size:227K _microsemi

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TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Website: http: //www.microsemi.com RADIATION HARDENED PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/357 DEVICES LEVELS JANSM 3K Rads (Si) 2N3634 2N3635 2N3636 2N3637JANSD 10K Rads (Si) 2N3634L 2N3635L 2N3636L 2N3637LJANSP 30K Rads (Si)

8.1. 2n3634 2n3635 2n3636 2n3637.pdf Size:219K _bocasemi

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Boca Semiconductor Corp. BSC http://www.bocasemi.comhttp://www.bocasemi.comhttp://www.bocasemi.comhttp://www.bocasemi.comhttp://www.bocasemi.comhttp://www.bocasemi.comhttp://www.bocasemi.com

8.2. 2n3636ub.pdf Size:227K _microsemi

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TECHNICAL DATA SHEET 6 Lake Street, Lawrence, MA 01841 1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803 Website: http: //www.microsemi.com RADIATION HARDENED PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/357 DEVICES LEVELS JANSM 3K Rads (Si) 2N3634 2N3635 2N3636 2N3637JANSD 10K Rads (Si) 2N3634L 2N3635L 2N3636L 2N3637LJANSP 30K Rads (Si)

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