2N3700HR datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N3700HR  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: TO18

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2N3700HR

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N3700HR даташит

 ..1. Size:428K  st
 2n3700hr.pdf pdf_icon

2N3700HR

2N3700HR Hi-Rel 80 V, 1 A NPN transistor Datasheet - production data Features 1 BVCEO 80 V 2 3 IC(max) 1 A 3 3 TO-18 4 HFE at 10 V - 150 mA >100 1 1 2 2 LCC-3 UB Hermetic packages Pin 4 in UB is connected to the metallic lid ESCC and Jans qualified Up to 100 krad(Si) low dose rate Figure 1. Internal schematic diagram Description The 2N3700HR is a NPN tr

 8.1. Size:109K  st
 2n3700.pdf pdf_icon

2N3700HR

2N3700 General purpose amplifiers Description The 2N3700 is silicon planar epitaxial NPN transistor in Jedec TO-18 metal case. It is intended for small signal, low noise industrial applications. TO-18 Internal schematic diagram Order codes Part Number Marking Package Packing 2N3700 2N3700 TO-18 Bag November 2006 Rev 2 1/7 www.st.com 7 Electrical ratings 2N3700 1 Electrical ratin

 8.2. Size:108K  central
 2n3700 2n3701.pdf pdf_icon

2N3700HR

DATA SHEET 2N3700 2N3701 NPN SILICON TRANSISTOR JEDEC TO-18 CASE DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N3700 and 2N3701 NPN Silicon Transistors are designed for high current general purpose amplifier applications. MAXIMUM RATINGS (TA=25 C) 2N3700 SYMBOL 2N3701 UNITS Collector-Base Voltage VCBO 140 V Collector-Emitter Voltage VCEO 80 V Emitter-Base Voltage VEBO 7.0 V

 8.3. Size:256K  cdil
 2n3700 01.pdf pdf_icon

2N3700HR

Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS 2N3700 2N3701 TO-18 General purpose amplifier ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Base Voltage VCBO 140 V Collector -Emitter Voltage VCEO 80 V Emitter -Base Voltage VEBO 7.0 V Collector Current IC 1.0 A Power Dissipation @

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2N3635L, 2N3635UB, 2N3636L, 2N3636UB, 2N3637CSM, 2N3637DCSM, 2N3637L, 2N3637UB, D209L, 2N3713SMD, 2N3714SMD, 2N3715SMD, 2N3715X, 2N3716SMD, 2N3716X, 2N3724L, 2N3724UB