2N3700HR - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 2N3700HR
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.8 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: TO18
Аналоги (замена) для 2N3700HR
2N3700HR - технические параметры
2n3700hr.pdf
2N3700HR Hi-Rel 80 V, 1 A NPN transistor Datasheet - production data Features 1 BVCEO 80 V 2 3 IC(max) 1 A 3 3 TO-18 4 HFE at 10 V - 150 mA >100 1 1 2 2 LCC-3 UB Hermetic packages Pin 4 in UB is connected to the metallic lid ESCC and Jans qualified Up to 100 krad(Si) low dose rate Figure 1. Internal schematic diagram Description The 2N3700HR is a NPN tr
2n3700.pdf
2N3700 General purpose amplifiers Description The 2N3700 is silicon planar epitaxial NPN transistor in Jedec TO-18 metal case. It is intended for small signal, low noise industrial applications. TO-18 Internal schematic diagram Order codes Part Number Marking Package Packing 2N3700 2N3700 TO-18 Bag November 2006 Rev 2 1/7 www.st.com 7 Electrical ratings 2N3700 1 Electrical ratin
2n3700 2n3701.pdf
DATA SHEET 2N3700 2N3701 NPN SILICON TRANSISTOR JEDEC TO-18 CASE DESCRIPTION The CENTRAL SEMICONDUCTOR 2N3700 and 2N3701 NPN Silicon Transistors are designed for high current general purpose amplifier applications. MAXIMUM RATINGS (TA=25 C) 2N3700 SYMBOL 2N3701 UNITS Collector-Base Voltage VCBO 140 V Collector-Emitter Voltage VCEO 80 V Emitter-Base Voltage VEBO 7.0 V
2n3700 01.pdf
Continental Device India Limited An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS 2N3700 2N3701 TO-18 General purpose amplifier ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. DESCRIPTION SYMBOL VALUE UNIT Collector -Base Voltage VCBO 140 V Collector -Emitter Voltage VCEO 80 V Emitter -Base Voltage VEBO 7.0 V Collector Current IC 1.0 A Power Dissipation @
Другие транзисторы... 2N3635L , 2N3635UB , 2N3636L , 2N3636UB , 2N3637CSM , 2N3637DCSM , 2N3637L , 2N3637UB , D209L , 2N3713SMD , 2N3714SMD , 2N3715SMD , 2N3715X , 2N3716SMD , 2N3716X , 2N3724L , 2N3724UB .
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
tip3055 | mosfet datasheet | irf3205 datasheet | irf5210 | mj15024 | 2n2219 | tip42c | 2sc2240






