2N3741SMD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N3741SMD  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 100 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: SMD1

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2N3741SMD

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N3741SMD даташит

 ..1. Size:32K  semelab
 2n3741smd.pdf pdf_icon

2N3741SMD

2N3741 SMD SEME LAB MECHANICAL DATA MEDIUM POWER PNP Dimensions in mm SILICON POWER TRANSISTOR LOW SATURATION VOLTAGE HIGH GAIN FEATURES Hermetically sealed Surface Mount Package. Small Footprint - efficient use of PCB space. Lightweight

 8.1. Size:62K  microsemi
 2n3741a.pdf pdf_icon

2N3741SMD

7516 Central Industrial Drive Riviera Beach, Florida 33404 PHONE (561) 842-0305 FAX (561) 845-7813 2N3741A APPLICATIONS Drivers Switches Medium-Power Amplifiers FEATURES Medium Power Low Saturation Voltage 0.6 VCE(sat) @ IC = 1.0 Amp High Gain Characteristics hFE @ IC = 250 mA 30-100 PNP Transistors Excellent Safe Area Limits Low Collector Cuto

 8.2. Size:62K  microsemi
 2n3741.pdf pdf_icon

2N3741SMD

7516 Central Industrial Drive Riviera Beach, Florida 33404 PHONE (561) 842-0305 FAX (561) 845-7813 2N3741 APPLICATIONS Drivers Switches Medium-Power Amplifiers FEATURES Medium Power Low Saturation Voltage 0.6 VCE(sat) @ IC = 1.0 Amp High Gain Characteristics hFE @ IC = 250 mA 30-100 PNP Transistors Excellent Safe Area Limits Complementary to NP

 8.3. Size:221K  inchange semiconductor
 2n3741a.pdf pdf_icon

2N3741SMD

isc Silicon PNP Power Transistor 2N3741A DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V =-80V(Min) CEO Minimum Lot-to-Lot variations for robust device Performance and reliable operation APPLICATIONS Power amplifier and switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 ) UNI SYMBOL PARAMETER VALUE T V Collector-Base Voltage -80 V CBO V Collector-Emitter Voltage -

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2N3724L, 2N3724UB, 2N3725L, 2N3725UB, 2N3735CSM4, 2N3735L, 2N3737UB, 2N3740R, 2SB649, 2N3762L, 2N3763L, 2N3766SMD, 2N3766SMD05, 2N3767SMD, 2N3767SMD05, 2N3768, 2N3771G