Биполярный транзистор 2N4922G Даташит. Аналоги
Наименование производителя: 2N4922G
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 100 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: TO-225
Аналог (замена) для 2N4922G
2N4922G Datasheet (PDF)
2n4922g.pdf

2N4921, 2N4922, 2N49232N4923 is a Preferred DeviceMedium-Power PlasticNPN Silicon TransistorsThese high-performance plastic devices are designed for drivercircuits, switching, and amplifier applications.Featureshttp://onsemi.com Low Saturation Voltage - VCE(sat) = 0.6 Vdc (Max) @ IC = 1.0 A1.0 AMPERE Excellent Power Dissipation Due to Thermopad Construction -PD = 30
2n4921g 2n4922g 2n4923g.pdf

2N4921G, 2N4922G,2N4923GMedium-Power PlasticNPN Silicon TransistorsThese high-performance plastic devices are designed for drivercircuits, switching, and amplifier applications.www.onsemi.comFeatures1.0 AMPERE Low Saturation VoltageGENERAL PURPOSE Excellent Power DissipationPOWER TRANSISTORS Excellent Safe Operating Area40-80 VOLTS, 30 WATTS Complement
2n4921 2n4922 2n4923.pdf

Order this documentMOTOROLAby 2N4921/DSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA2N4921Medium-Power Plastic NPNthruSilicon Transistors2N4923*. . . designed for driver circuits, switching, and amplifier applications. Thesehighperformance plastic devices feature:*Motorola Preferred Device Low Saturation Voltage VCE(sat) = 0.6 Vdc (Max) @ IC = 1.0 Amp1 AMPERE Excellent
2n4921 2n4922 2n4923.pdf

2N4921, 2N4922, 2N49232N4923 is a Preferred DeviceMedium-Power PlasticNPN Silicon TransistorsThese high-performance plastic devices are designed for drivercircuits, switching, and amplifier applications.Featureshttp://onsemi.com Low Saturation Voltage - VCE(sat) = 0.6 Vdc (Max) @ IC = 1.0 A1.0 AMPERE Excellent Power Dissipation Due to Thermopad Construction -PD = 30
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
History: PMC3358 | NB011HU | 2SC3752L | RN1910FE | KSD5059 | TIPL761C | NA42UJ
History: PMC3358 | NB011HU | 2SC3752L | RN1910FE | KSD5059 | TIPL761C | NA42UJ



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
bd140 datasheet | tip2955 | tip35 | 2sk117 | irf9540n datasheet | ss8050 | irfp4668 | mpsa56