2N4922G - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 2N4922G
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 100 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: TO-225
Аналоги (замена) для 2N4922G
2N4922G - технические параметры
2n4922g.pdf
2N4921, 2N4922, 2N4923 2N4923 is a Preferred Device Medium-Power Plastic NPN Silicon Transistors These high-performance plastic devices are designed for driver circuits, switching, and amplifier applications. Features http //onsemi.com Low Saturation Voltage - VCE(sat) = 0.6 Vdc (Max) @ IC = 1.0 A 1.0 AMPERE Excellent Power Dissipation Due to Thermopad Construction - PD = 30
2n4921g 2n4922g 2n4923g.pdf
2N4921G, 2N4922G, 2N4923G Medium-Power Plastic NPN Silicon Transistors These high-performance plastic devices are designed for driver circuits, switching, and amplifier applications. www.onsemi.com Features 1.0 AMPERE Low Saturation Voltage GENERAL PURPOSE Excellent Power Dissipation POWER TRANSISTORS Excellent Safe Operating Area 40-80 VOLTS, 30 WATTS Complement
2n4921 2n4922 2n4923.pdf
Order this document MOTOROLA by 2N4921/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA 2N4921 Medium-Power Plastic NPN thru Silicon Transistors 2N4923 * . . . designed for driver circuits, switching, and amplifier applications. These high performance plastic devices feature *Motorola Preferred Device Low Saturation Voltage VCE(sat) = 0.6 Vdc (Max) @ IC = 1.0 Amp 1 AMPERE Excellent
2n4921 2n4922 2n4923.pdf
2N4921, 2N4922, 2N4923 2N4923 is a Preferred Device Medium-Power Plastic NPN Silicon Transistors These high-performance plastic devices are designed for driver circuits, switching, and amplifier applications. Features http //onsemi.com Low Saturation Voltage - VCE(sat) = 0.6 Vdc (Max) @ IC = 1.0 A 1.0 AMPERE Excellent Power Dissipation Due to Thermopad Construction - PD = 30
Другие транзисторы... 2N4910XSMD , 2N4910XSMD05 , 2N4911XSMD , 2N4911XSMD05 , 2N4918G , 2N4919G , 2N4920G , 2N4921G , A1013 , 2N4923G , 2N4928CSM , 2N4928DCSM , 2N4939DCSM , 2N5001SMD , 2N5010S , 2N5011S , 2N5012S .
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
bd140 datasheet | tip2955 | tip35 | 2sk117 | irf9540n datasheet | ss8050 | irfp4668 | mpsa56






