Справочник транзисторов. 2N5088G

 

Биполярный транзистор 2N5088G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2N5088G
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
   Корпус транзистора: TO-92
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2N5088G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:83K  onsemi
2n5088g.pdfpdf_icon

2N5088G

2N5088, 2N5089Amplifier TransistorsNPN SiliconFeatureshttp://onsemi.com Pb-Free Packages are Available*3 COLLECTOR2MAXIMUM RATINGSBASERating Symbol Value UnitCollector - Emitter Voltage VCEO Vdc1 EMITTER2N5088 302N5089 25Collector - Base Voltage VCBO Vdc2N5088 35TO-922N5089 30CASE 29Emitter - Base Voltage VEBO 3.0 Vdc STYLE 1Collector Current - Conti

 8.1. Size:281K  motorola
2n5088 2n5089.pdfpdf_icon

2N5088G

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby 2N5088/DAmplifier TransistorsNPN Silicon2N50882N5089COLLECTOR32BASE1EMITTER123MAXIMUM RATINGSCASE 2904, STYLE 1Rating Symbol 2N508 2N508 UnitTO92 (TO226AA)8 9CollectorEmitter Voltage VCEO 30 25 VdcCollectorBase Voltage VCBO 35 30 VdcEmitterBase Voltage VEBO 3.0 VdcCollec

 8.2. Size:49K  philips
2n5088 3.pdfpdf_icon

2N5088G

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETbook, halfpageM3D1862N5088NPN general purpose transistor1997 Sep 03Product specificationSupersedes data of 1997 Jul 03File under Discrete Semiconductors, SC04Philips Semiconductors Product specificationNPN general purpose transistor 2N5088FEATURES PINNING Low current (max. 100 mA)PIN DESCRIPTION Low voltage (max. 30 V).1 co

 8.3. Size:97K  fairchild semi
2n5088 mmbt5088 2n5089 mmbt5089.pdfpdf_icon

2N5088G

2N5088 MMBT50882N5089 MMBT5089CEC TO-92BBSOT-23EMark: 1Q / 1RNPN General Purpose AmplifierThis device is designed for low noise, high gain, general purposeamplifier applications at collector currents from 1A to 50 mA.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 2N5088 30 V2N5089 25 VVCBO

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: MA897

 

 
Back to Top

 


 
.