2N5089G - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор 2N5089G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: 2N5089G
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 400
   Корпус транзистора: TO-92

Аналоги (замена) для 2N5089G

2N5089G Datasheet (PDF)

..1. Size:83K onsemi
2n5089g.pdf

2N5088, 2N5089Amplifier TransistorsNPN SiliconFeatureshttp://onsemi.com Pb-Free Packages are Available*3 COLLECTOR2MAXIMUM RATINGSBASERating Symbol Value UnitCollector - Emitter Voltage VCEO Vdc1 EMITTER2N5088 302N5089 25Collector - Base Voltage VCBO Vdc2N5088 35TO-922N5089 30CASE 29Emitter - Base Voltage VEBO 3.0 Vdc STYLE 1Collector Current - Conti

8.1. Size:281K motorola
2n5088 2n5089.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby 2N5088/DAmplifier TransistorsNPN Silicon2N50882N5089COLLECTOR32BASE1EMITTER123MAXIMUM RATINGSCASE 2904, STYLE 1Rating Symbol 2N508 2N508 UnitTO92 (TO226AA)8 9CollectorEmitter Voltage VCEO 30 25 VdcCollectorBase Voltage VCBO 35 30 VdcEmitterBase Voltage VEBO 3.0 VdcCollec

8.2. Size:97K fairchild semi
2n5088 mmbt5088 2n5089 mmbt5089.pdf

2N5088 MMBT50882N5089 MMBT5089CEC TO-92BBSOT-23EMark: 1Q / 1RNPN General Purpose AmplifierThis device is designed for low noise, high gain, general purposeamplifier applications at collector currents from 1A to 50 mA.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 2N5088 30 V2N5089 25 VVCBO

8.3. Size:58K samsung
2n5088-2n5089.pdf

2N5088/5089 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORAMPLIFIER TRANSISTORTO-92 Collector-Emitter Voltage: VCEO= 2N5088: 30V2N5089: 25V Collector Dissipation: PC (max)=625mWABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage :2N5088 VCBO2N5089 30 VCollector-Emitter Voltage :2N5088 VCEO 30 V2N5089 25 V Emitter-Base Voltage VEBO 4.5 V

8.4. Size:66K central
2n5088 2n5089.pdf