Справочник транзисторов. 2N5089G

 

Биполярный транзистор 2N5089G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2N5089G
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 400
   Корпус транзистора: TO-92
 

 Аналог (замена) для 2N5089G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N5089G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:83K  onsemi
 2n5089g.pdf pdf_icon

2N5089G

2N5088, 2N5089Amplifier TransistorsNPN SiliconFeatureshttp://onsemi.com Pb-Free Packages are Available*3 COLLECTOR2MAXIMUM RATINGSBASERating Symbol Value UnitCollector - Emitter Voltage VCEO Vdc1 EMITTER2N5088 302N5089 25Collector - Base Voltage VCBO Vdc2N5088 35TO-922N5089 30CASE 29Emitter - Base Voltage VEBO 3.0 Vdc STYLE 1Collector Current - Conti

 8.1. Size:281K  motorola
 2n5088 2n5089.pdf pdf_icon

2N5089G

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby 2N5088/DAmplifier TransistorsNPN Silicon2N50882N5089COLLECTOR32BASE1EMITTER123MAXIMUM RATINGSCASE 2904, STYLE 1Rating Symbol 2N508 2N508 UnitTO92 (TO226AA)8 9CollectorEmitter Voltage VCEO 30 25 VdcCollectorBase Voltage VCBO 35 30 VdcEmitterBase Voltage VEBO 3.0 VdcCollec

 8.2. Size:97K  fairchild semi
 2n5088 mmbt5088 2n5089 mmbt5089.pdf pdf_icon

2N5089G

2N5088 MMBT50882N5089 MMBT5089CEC TO-92BBSOT-23EMark: 1Q / 1RNPN General Purpose AmplifierThis device is designed for low noise, high gain, general purposeamplifier applications at collector currents from 1A to 50 mA.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 2N5088 30 V2N5089 25 VVCBO

 8.3. Size:58K  samsung
 2n5088-2n5089.pdf pdf_icon

2N5089G

2N5088/5089 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTORAMPLIFIER TRANSISTORTO-92 Collector-Emitter Voltage: VCEO= 2N5088: 30V2N5089: 25V Collector Dissipation: PC (max)=625mWABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 )A Characteristic Symbol Rating UnitCollector-Base Voltage :2N5088 VCBO2N5089 30 VCollector-Emitter Voltage :2N5088 VCEO 30 V2N5089 25 V Emitter-Base Voltage VEBO 4.5 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N5014S , 2N5015SX , 2N5015X , 2N5038G , 2N5052SMD , 2N5087G , 2N5087RLRAG , 2N5088G , 2SA1015 , 2N5151-220M , 2N5151SMD05 , 2N5151U3 , 2N5151XSMD05 , 2N5152A , 2N5152SMD , 2N5152SMD05 , 2N5152U3 .

 

 
Back to Top

 


 
.