2N5302G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N5302G  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO-204AA

 Аналоги (замена) для 2N5302G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N5302G даташит

 ..1. Size:92K  onsemi
 2n5302g.pdf pdf_icon

2N5302G

2N5302 High-Power NPN Silicon Transistor High-power NPN silicon transistors are for use in power amplifier and switching circuits applications. Features http //onsemi.com Low Collector-Emitter Saturation Voltage - VCE(sat) = 0.75 Vdc (Max) @ IC = 10 Adc 30 AMPERES Pb-Free Package is Available* POWER TRANSISTOR NPN SILICON MAXIMUM RATINGS (Note 1) (TJ = 25 C unless otherwis

 8.1. Size:251K  motorola
 2n5301 2n5302 2n5303.pdf pdf_icon

2N5302G

Order this document MOTOROLA by 2N5301/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA 2N5301 2N5302 High-Power NPN Silicon 2N5303 Transistors . . . for use in power amplifier and switching circuits applications. 20 AND 30 AMPERE High Collector Emitter Sustaining Voltage POWER TRANSISTORS VCEO(sus) = 80 Vdc (Min) @ IC = 200 mAdc (2N5303) NPN SILICON Low Collector Emitter Saturatio

 8.2. Size:92K  onsemi
 2n5302.pdf pdf_icon

2N5302G

2N5302 High-Power NPN Silicon Transistor High-power NPN silicon transistors are for use in power amplifier and switching circuits applications. Features http //onsemi.com Low Collector-Emitter Saturation Voltage - VCE(sat) = 0.75 Vdc (Max) @ IC = 10 Adc 30 AMPERES Pb-Free Package is Available* POWER TRANSISTOR NPN SILICON MAXIMUM RATINGS (Note 1) (TJ = 25 C unless otherwis

 8.3. Size:167K  cn sptech
 2n5302.pdf pdf_icon

2N5302G

SPTECH Product Specification SPTECH Silicon NPN Power Transistors 2N5302 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- V = 0.75V(Max.)@ I = 10A CE(sat) C Wide Area of Safe Operation Complement to Type 2N4399 APPLICATIONS Designed for use in power amplifier and switching circuits applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Ba

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2N5157T3, 2N5190G, 2N5191G, 2N5192G, 2N5194G, 2N5195G, 2N5237S, 2N5238S, TIP41, 2N5320X, 2N5338LCC4, 2N5339LCC4, 2N5339U3, 2N5401CSM, 2N5401DCSM, 2N5401G, 2N5401HR