2N5778 datasheet, аналоги, параметры транзистора

2N5778 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N5778 📄📄

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.25 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7.6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 1000

Корпус транзистора: TO92

📄📄 Копировать

Аналоги (замена) для 2N5778

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

2N5778 даташит

..1. Size:57K njs
2n5779 2n5779 2n5778.pdf pdf_icon

..2. Size:57K njs
2n5778.pdf pdf_icon

9.1. Size:585K fairchild semi
2n5771 mmbt5771.pdf pdf_icon

2N5771 MMBT5771 C E C TO-92 B B SOT-23 E Mark 3R PNP Switching Transistor This device is designed for very high speed saturated switching at collector currents to 100 mA. Sourced from Process 65. See PN4258 for characteristics. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 15 V VCBO Collector-Base Voltage

9.2. Size:708K fairchild semi
2n5771.pdf pdf_icon