2N5778 - описание и поиск аналогов

 

2N5778 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: 2N5778
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.25 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7.6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
   Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 2N5778

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N5778 - технические параметры

 ..1. Size:57K  njs
 2n5779 2n5779 2n5778.pdf pdf_icon

2N5778

 ..2. Size:57K  njs
 2n5778.pdf pdf_icon

2N5778

 9.1. Size:585K  fairchild semi
 2n5771 mmbt5771.pdf pdf_icon

2N5778

2N5771 MMBT5771 C E C TO-92 B B SOT-23 E Mark 3R PNP Switching Transistor This device is designed for very high speed saturated switching at collector currents to 100 mA. Sourced from Process 65. See PN4258 for characteristics. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 15 V VCBO Collector-Base Voltage

 9.2. Size:708K  fairchild semi
 2n5771.pdf pdf_icon

2N5778

2N5771 MMBT5771 C E C TO-92 B B SOT-23 E Mark 3R PNP Switching Transistor This device is designed for very high speed saturated switching at collector currents to 100 mA. Sourced from Process 65. See PN4258 for characteristics. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 15 V VCBO Collector-Base Voltage

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N5666U3 , 2N5667N1 , 2N5667S , 2N5681SMD05 , 2N5682X , 2N5684G , 2N5686G , 2N5777 , 2SC945 , 2N5779 , 2N5780 , 2N5781XL , 2N5782L , 2N5784SMD , 2N5784SMD05 , 2N5785N1 , 2N5785SMD .

 

 
Back to Top

 


 
.