Справочник транзисторов. 2N5778

 

Биполярный транзистор 2N5778 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2N5778
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.25 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7.6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
   Корпус транзистора: TO92
 

 Аналог (замена) для 2N5778

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N5778 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:57K  njs
 2n5779 2n5779 2n5778.pdf pdf_icon

2N5778

 ..2. Size:57K  njs
 2n5778.pdf pdf_icon

2N5778

 9.1. Size:585K  fairchild semi
 2n5771 mmbt5771.pdf pdf_icon

2N5778

2N5771 MMBT5771CEC TO-92BBSOT-23EMark: 3RPNP Switching TransistorThis device is designed for very high speed saturated switchingat collector currents to 100 mA. Sourced from Process 65. SeePN4258 for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 15 VVCBO Collector-Base Voltage

 9.2. Size:708K  fairchild semi
 2n5771.pdf pdf_icon

2N5778

2N5771 MMBT5771CEC TO-92BBSOT-23EMark: 3RPNP Switching TransistorThis device is designed for very high speed saturated switchingat collector currents to 100 mA. Sourced from Process 65. SeePN4258 for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 15 VVCBO Collector-Base Voltage

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2SD1392 | KC860W | AUY18-5 | CHFMG2GP | SZD1733 | PBSS5240Y

 

 
Back to Top

 


 
.