2N6035G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N6035G  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 25 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 750

Корпус транзистора: TO225

 Аналоги (замена) для 2N6035G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N6035G даташит

 ..1. Size:140K  onsemi
 2n6035g 2n6035g 2n6036g.pdf pdf_icon

2N6035G

2N6034G, 2N6035G, 2N6036G (PNP), 2N6038G, 2N6039G (NPN) Plastic Darlington Complementary Silicon http //onsemi.com Power Transistors 4.0 AMPERES DARLINGTON Plastic Darlington complementary silicon power transistors are designed for general purpose amplifier and low-speed switching COMPLEMENTARY SILICON applications. POWER TRANSISTORS Features 40, 60, 80 VOLTS, 40 WATTS ESD Ra

 8.1. Size:243K  motorola
 2n6035 2n6036 2n6038 2n6039.pdf pdf_icon

2N6035G

Order this document MOTOROLA by 2N6035/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA 2N6030 thru 2N6031 (See 2N5630) Plastic Darlington Complementary Silicon Power PNP Transistors 2N6035 . . . designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. High DC Current Gain 2N6036* hFE = 2000 (Typ) @ IC = 2.0 Adc NPN Collector Emitter Sustaining Voltage @

 8.2. Size:174K  st
 2n6034 2n6035 2n6036 2n6037 2n6038 2n6039.pdf pdf_icon

2N6035G

 8.3. Size:123K  inchange semiconductor
 2n6034 2n6035 2n6036.pdf pdf_icon

2N6035G

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2N6034 2N6035 2N6036 DESCRIPTION With TO-126 package Complement to type 2N6037/6038/6039 DARLINGTON High DC current gain APPLICATIONS Designed for general-purpose amplifier and low-speed switching applications PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Emitter 2 Collector 3 Base Absolute ma

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2N5794U, 2N5794UC, 2N5796U, 2N5883G, 2N5884G, 2N5885G, 2N5886G, 2N6034G, BC639, 2N6036G, 2N6038G, 2N6039G, 2N6040G, 2N6042G, 2N6043G, 2N6045G, 2N6052G