Справочник транзисторов. 2N6045G

 

Биполярный транзистор 2N6045G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2N6045G
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
   Корпус транзистора: TO220AB
 

 Аналог (замена) для 2N6045G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N6045G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:301K  onsemi
2n6040g 2n6042g 2n6043g 2n6045g.pdfpdf_icon

2N6045G

PNP - 2N6040, 2N6042,NPN - 2N6043, 2N6045Plastic Medium-PowerComplementary SiliconTransistorswww.onsemi.comPlastic medium-power complementary silicon transistors aredesigned for general-purpose amplifier and low-speed switchingDARLINGTON, 8 AMPERESapplications.COMPLEMENTARY SILICONFeaturesPOWER TRANSISTORS High DC Current Gain - hFE = 2500 (Typ) @ IC = 4.0 Adc60 -

 ..2. Size:83K  onsemi
2n6040g 2n6040g 2n6045g.pdfpdf_icon

2N6045G

PNP - 2N6040, 2N6042,NPN - 2N6043, 2N60452N6043 and 2N6045 are Preferred DevicesPlastic Medium-PowerComplementary SiliconTransistorsPlastic medium-power complementary silicon transistors aredesigned for general-purpose amplifier and low-speed switchingDARLINGTON, 8 AMPERESapplications.COMPLEMENTARY SILICONFeaturesPOWER TRANSISTORS High DC Current Gain - hFE = 2500 (

 ..3. Size:83K  onsemi
2n6045g.pdfpdf_icon

2N6045G

PNP - 2N6040, 2N6042,NPN - 2N6043, 2N60452N6043 and 2N6045 are Preferred DevicesPlastic Medium-PowerComplementary SiliconTransistorsPlastic medium-power complementary silicon transistors aredesigned for general-purpose amplifier and low-speed switchingDARLINGTON, 8 AMPERESapplications.COMPLEMENTARY SILICONFeaturesPOWER TRANSISTORS High DC Current Gain - hFE = 2500 (

 ..4. Size:199K  inchange semiconductor
2n6045g.pdfpdf_icon

2N6045G

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2N6045GDESCRIPTIONHigh DC Current Gain-: h = 1000(Min)@ I = 3AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 100V(Min)CEO(SUS)Low Collector-Emitter Saturation Voltage-: V = 2.0V(Max)@ I = 3ACE(sat) CComplement to Type 2N6042GPb-Free packageMinimum Lot-to-Lot variations for robust device

Другие транзисторы... 2N6034G , 2N6035G , 2N6036G , 2N6038G , 2N6039G , 2N6040G , 2N6042G , 2N6043G , B647 , 2N6052G , 2N6107G , 2N6109G , 2N6111G , 2N6193ALCC4 , 2N6193LCC4 , 2N6235X , 2N6249T1 .

 

 
Back to Top

 


 
.