2N6052G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N6052G  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 500 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 750

Корпус транзистора: TO204AA

 Аналоги (замена) для 2N6052G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N6052G даташит

 ..1. Size:132K  onsemi
 2n6052g.pdf pdf_icon

2N6052G

2N6052 Preferred Device Darlington Complementary Silicon Power Transistors This package is designed for general-purpose amplifier and low frequency switching applications. Features http //onsemi.com High DC Current Gain hFE = 3500 (Typ) @ IC = 5.0 Adc 12 AMPERE Collector-Emitter Sustaining Voltage @ 100 mA VCEO(sus) = 100 Vdc (Min) COMPLEMENTARY SILICON Monolit

 8.1. Size:275K  motorola
 2n6050 2n6051 2n6052 2n6057 2n6058 2n6059.pdf pdf_icon

2N6052G

Order this document MOTOROLA by 2N6050/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA PNP 2N6050 Darlington Complementary thru Silicon Power Transistors . . . designed for general purpose amplifier and low frequency switching applications. 2N6052* High DC Current Gain NPN hFE = 3500 (Typ) @ IC = 5.0 Adc Collector Emitter Sustaining Voltage @ 100 mA 2N6057 VCEO(sus) = 60 Vdc (

 8.2. Size:217K  comset
 2n6050-2n6051-2n6052-2n6057-2n6058-2n6059.pdf pdf_icon

2N6052G

POWER COMPLEMENTARY POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS SILICON TRANSISTORS The 2N6050, 2N6051 and 2N6052 are silicon epitaxial-base PNP transistors in monolithic Darlington configuration mounted in Jedec TO-3 metal case. They are inteded for use in power linear and low frequency switching applications. The complementary NPN types are 2N6057, 2N6058 and 2N6059 respectively.

 8.3. Size:195K  bocasemi
 2n6050 2n6051 2n6052 2n6057 2n6058 2n6059.pdf pdf_icon

2N6052G

A Boca Semiconductor Corp. BSC A Boca Semiconductor Corp. BSC http //www.bocasemi.com A Boca Semiconductor Corp. BSC http //www.bocasemi.com A Boca Semiconductor Corp. BSC http //www.bocasemi.com

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2N6035G, 2N6036G, 2N6038G, 2N6039G, 2N6040G, 2N6042G, 2N6043G, 2N6045G, 431, 2N6107G, 2N6109G, 2N6111G, 2N6193ALCC4, 2N6193LCC4, 2N6235X, 2N6249T1, 2N6250T1