1DI50F-100. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 1DI50F-100
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 400 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1000 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100
Корпус транзистора: M204
Аналоги (замена) для 1DI50F-100
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
1DI50F-100 даташит
1di50ma-050.pdf
FUJI POWER TRANSISTOR MODULE 1DI50MA-050 (50A) POWER TRANSISTOR MODULE POWER TRANSISTOR MODULE POWER TRANSISTOR MODULE POWER TRANSISTOR MODULE POWER TRANSISTOR MODULE
Другие транзисторы: 1DI200E-055, 1DI200K-055, 1DI200Z-100, 1DI300D-100, 1DI300Z-120, 1DI30MA-050, 1DI400A-120, 1DI480A-055, BC547, 1DI50H-055, 1DI50K-055, 1DI50MA-050, 1DI75E-055, 1DI75E-100, 1DI75F-055, 1DI75F-100, 1SC1383
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc2525 | tip73 | 2n3392 | 2n2369a | 2sc733 | a933 transistor | d209l | irfb4321