Справочник транзисторов. 1DI50F-100

 

Биполярный транзистор 1DI50F-100 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 1DI50F-100
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 400 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1000 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: M204

 Аналоги (замена) для 1DI50F-100

 

 

1DI50F-100 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:189K  fuji
1di50f-100.pdf

1DI50F-100
1DI50F-100

"1DI50F-100""1DI50F-100""1DI50F-100""1DI50F-100"

 9.1. Size:32K  fuji
1di50ma-050.pdf

1DI50F-100

FUJI POWER TRANSISTOR MODULE1DI50MA-050 (50A)POWER TRANSISTOR MODULEPOWER TRANSISTOR MODULEPOWER TRANSISTOR MODULEPOWER TRANSISTOR MODULEPOWER TRANSISTOR MODULE

 9.2. Size:177K  fuji
1di50h-055.pdf

1DI50F-100
1DI50F-100

 9.3. Size:179K  fuji
1di50k-055.pdf

1DI50F-100
1DI50F-100

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top