1DI50F-100 Todos los transistores

 

1DI50F-100 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 1DI50F-100

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 400 W

Tensión colector-base (Vcb): 1000 V

Tensión colector-emisor (Vce): 1000 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 50 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hfe): 100

Empaquetado / Estuche: M204

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 1DI50F-100

 

1DI50F-100 Datasheet (PDF)

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5.2. 1di50ma-050.pdf Size:32K _upd

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FUJI POWER TRANSISTOR MODULE 1DI50MA-050 (50A) パワートランジスタモジュール パワートランジスタモジュール パワートランジスタモジュール パワートランジスタモジュール パワートランジスタモジュール POWER TRANSISTOR MODULE POWER TRANSISTOR MODULE POWER TRANSISTOR MODULE POWER TRANSISTOR MODULE POWER TRANSISTOR MODULE 外

 5.3. 1di50k-055.pdf Size:179K _upd

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