BF720T1G datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: BF720T1G 📄📄
Маркировка: DC
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50
Корпус транзистора: SOT223
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для BF720T1G
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
BF720T1G даташит
bf720t1g.pdf
BF720T1G, SBF720T1G, BF720T3G NPN Silicon Transistor Features http //onsemi.com AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique NPN SILICON TRANSISTOR Site and Control Change Requirements SURFACE MOUNT These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant* MAXIMUM RATINGS SOT-223 (TO-261) Rating Sym
bf720t1g sbf720t1g bf720t3g.pdf
BF720T1G, SBF720T1G, BF720T3G NPN Silicon Transistor Features http //onsemi.com AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique NPN SILICON TRANSISTOR Site and Control Change Requirements SURFACE MOUNT These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant* MAXIMUM RATINGS SOT-223 (TO-261) Rating Sym
sbf720t1g.pdf
BF720T1G, SBF720T1G, BF720T3G NPN Silicon Transistor Features http //onsemi.com AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique NPN SILICON TRANSISTOR Site and Control Change Requirements SURFACE MOUNT These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant* MAXIMUM RATINGS SOT-223 (TO-261) Rating Sym
bf720t1r.pdf
MOTOROLA Order this document SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA by BF720T1/D BF720T1 NPN Silicon Transistor Motorola Preferred Device COLLECTOR 2,4 BASE NPN SILICON 1 TRANSISTOR SURFACE MOUNT EMITTER 3 MAXIMUM RATINGS 4 Rating Symbol Value Unit 1 Collector-Emitter Voltage VCEO 300 Vdc 2 3 Collector-Base Voltage VCBO 300 Vdc CASE 318E-04, STYLE 1 Collector-Emitter Voltage VCER 3
Другие транзисторы: BCY79-IX, BCY79-VII, BCY79-VIII, BCY79-X, BF257CSM4, BF257DCSM, BF258DCSM, BF422G, BC557, BF721T1G, BF748, BF822W, BFG10WX, BFG10X, BFG520XR, BFR92AC1A, BFR92C1A
Параметры биполярного транзистора и их взаимосвязь
Список транзисторов
Обновления
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
Popular searches
a1633 transistor | 2sa844 | 2sc1327 | 2sc3855 | 2sc945 transistor equivalent | 2sd427 | mje15032 equivalent | 2sc4834





