Биполярный транзистор BF720T1G Даташит. Аналоги
Наименование производителя: BF720T1G
Маркировка: DC
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.5 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: SOT223
Аналог (замена) для BF720T1G
BF720T1G Datasheet (PDF)
bf720t1g.pdf

BF720T1G,SBF720T1G,BF720T3GNPN Silicon TransistorFeatureshttp://onsemi.com AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueNPN SILICON TRANSISTORSite and Control Change RequirementsSURFACE MOUNT These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant*MAXIMUM RATINGSSOT-223 (TO-261)Rating Sym
bf720t1g sbf720t1g bf720t3g.pdf

BF720T1G,SBF720T1G,BF720T3GNPN Silicon TransistorFeatureshttp://onsemi.com AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueNPN SILICON TRANSISTORSite and Control Change RequirementsSURFACE MOUNT These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant*MAXIMUM RATINGSSOT-223 (TO-261)Rating Sym
sbf720t1g.pdf

BF720T1G,SBF720T1G,BF720T3GNPN Silicon TransistorFeatureshttp://onsemi.com AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueNPN SILICON TRANSISTORSite and Control Change RequirementsSURFACE MOUNT These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant*MAXIMUM RATINGSSOT-223 (TO-261)Rating Sym
bf720t1r.pdf

MOTOROLAOrder this documentSEMICONDUCTOR TECHNICAL DATAby BF720T1/DBF720T1NPN Silicon TransistorMotorola Preferred DeviceCOLLECTOR 2,4BASENPN SILICON1TRANSISTORSURFACE MOUNTEMITTER 3MAXIMUM RATINGS4Rating Symbol Value Unit1Collector-Emitter Voltage VCEO 300 Vdc23Collector-Base Voltage VCBO 300 VdcCASE 318E-04, STYLE 1Collector-Emitter Voltage VCER 3
Другие транзисторы... BCY79-IX , BCY79-VII , BCY79-VIII , BCY79-X , BF257CSM4 , BF257DCSM , BF258DCSM , BF422G , BC337 , BF721T1G , BF748 , BF822W , BFG10WX , BFG10X , BFG520XR , BFR92AC1A , BFR92C1A .



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
a1633 transistor | 2sa844 | 2sc1327 | 2sc3855 | 2sc945 transistor equivalent | 2sd427 | mje15032 equivalent | 2sc4834