Справочник транзисторов. BFG10X

 

Биполярный транзистор BFG10X Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BFG10X
   Маркировка: *MT_N71
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 8 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.25 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1900 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: SOT143
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BFG10X Datasheet (PDF)

 ..1. Size:257K  philips
 bfg10x n.pdf pdf_icon

BFG10X

BFG10; BFG10/XNPN 2 GHz RF power transistorRev. 05 22 November 2007 Product data sheetIMPORTANT NOTICEDear customer,As from October 1st, 2006 Philips Semiconductors has a new trade name- NXP Semiconductors, which will be used in future data sheets together with new contactdetails.In data sheets where the previous Philips references remain, please use the new links asshown

 ..2. Size:59K  philips
 bfg10 bfg10x 4.pdf pdf_icon

BFG10X

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBFG10; BFG10/XNPN 2 GHz RF power transistor1995 Aug 31Product specificationSupersedes data of 1995 Mar 07File under Discrete Semiconductors, SC14Philips Semiconductors Product specificationNPN 2 GHz RF power transistor BFG10; BFG10/XFEATURES PINNING High power gainPIN DESCRIPTION High efficiencyBFG10 (see Fig.1)handbook, 2 co

 ..3. Size:255K  nxp
 bfg10x.pdf pdf_icon

BFG10X

BFG10; BFG10/XNPN 2 GHz RF power transistorRev. 05 22 November 2007 Product data sheetIMPORTANT NOTICEDear customer,As from October 1st, 2006 Philips Semiconductors has a new trade name- NXP Semiconductors, which will be used in future data sheets together with new contactdetails.In data sheets where the previous Philips references remain, please use the new links asshown

 9.1. Size:240K  philips
 bfg10wx.pdf pdf_icon

BFG10X

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETBFG10W/XUHF power transistorProduct specification 1995 Sep 22NXP Semiconductors Product specificationUHF power transistor BFG10W/XFEATURES DESCRIPTION High efficiency NPN silicon planar epitaxial transistor encapsulated in a plastic, 4-pin Small size discrete power amplifier lfpage4 3dual-emitter SOT343N package. 900 MHz an

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

History: SBC328 | 2SC1757E | MP4051 | D43C8 | ZTX503M | CPH5520 | 2SC1727

 

 
Back to Top

 


 
.