Справочник транзисторов. BFG10X

 

Биполярный транзистор BFG10X Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BFG10X
   Маркировка: *MT_N71
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 8 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2.5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.25 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1900 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: SOT143
 

 Аналог (замена) для BFG10X

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFG10X Datasheet (PDF)

 ..1. Size:257K  philips
 bfg10x n.pdf pdf_icon

BFG10X

BFG10; BFG10/XNPN 2 GHz RF power transistorRev. 05 22 November 2007 Product data sheetIMPORTANT NOTICEDear customer,As from October 1st, 2006 Philips Semiconductors has a new trade name- NXP Semiconductors, which will be used in future data sheets together with new contactdetails.In data sheets where the previous Philips references remain, please use the new links asshown

 ..2. Size:59K  philips
 bfg10 bfg10x 4.pdf pdf_icon

BFG10X

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBFG10; BFG10/XNPN 2 GHz RF power transistor1995 Aug 31Product specificationSupersedes data of 1995 Mar 07File under Discrete Semiconductors, SC14Philips Semiconductors Product specificationNPN 2 GHz RF power transistor BFG10; BFG10/XFEATURES PINNING High power gainPIN DESCRIPTION High efficiencyBFG10 (see Fig.1)handbook, 2 co

 ..3. Size:255K  nxp
 bfg10x.pdf pdf_icon

BFG10X

BFG10; BFG10/XNPN 2 GHz RF power transistorRev. 05 22 November 2007 Product data sheetIMPORTANT NOTICEDear customer,As from October 1st, 2006 Philips Semiconductors has a new trade name- NXP Semiconductors, which will be used in future data sheets together with new contactdetails.In data sheets where the previous Philips references remain, please use the new links asshown

 9.1. Size:240K  philips
 bfg10wx.pdf pdf_icon

BFG10X

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETBFG10W/XUHF power transistorProduct specification 1995 Sep 22NXP Semiconductors Product specificationUHF power transistor BFG10W/XFEATURES DESCRIPTION High efficiency NPN silicon planar epitaxial transistor encapsulated in a plastic, 4-pin Small size discrete power amplifier lfpage4 3dual-emitter SOT343N package. 900 MHz an

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... BF257DCSM , BF258DCSM , BF422G , BF720T1G , BF721T1G , BF748 , BF822W , BFG10WX , 13009 , BFG520XR , BFR92AC1A , BFR92C1A , BFT29X , BFT30CSM , BFT30DCSM , BFT32A , BFT33A .

History: IT137 | DT52-650 | BLY17C

 

 
Back to Top

 


 
.