BFG10X. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BFG10X

Маркировка: *MT_N71

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 8 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.25 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1900 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: SOT143

 Аналоги (замена) для BFG10X

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFG10X даташит

 ..1. Size:257K  philips
 bfg10x n.pdf pdf_icon

BFG10X

BFG10; BFG10/X NPN 2 GHz RF power transistor Rev. 05 22 November 2007 Product data sheet IMPORTANT NOTICE Dear customer, As from October 1st, 2006 Philips Semiconductors has a new trade name - NXP Semiconductors, which will be used in future data sheets together with new contact details. In data sheets where the previous Philips references remain, please use the new links as shown

 ..2. Size:59K  philips
 bfg10 bfg10x 4.pdf pdf_icon

BFG10X

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFG10; BFG10/X NPN 2 GHz RF power transistor 1995 Aug 31 Product specification Supersedes data of 1995 Mar 07 File under Discrete Semiconductors, SC14 Philips Semiconductors Product specification NPN 2 GHz RF power transistor BFG10; BFG10/X FEATURES PINNING High power gain PIN DESCRIPTION High efficiency BFG10 (see Fig.1) handbook, 2 co

 ..3. Size:255K  nxp
 bfg10x.pdf pdf_icon

BFG10X

BFG10; BFG10/X NPN 2 GHz RF power transistor Rev. 05 22 November 2007 Product data sheet IMPORTANT NOTICE Dear customer, As from October 1st, 2006 Philips Semiconductors has a new trade name - NXP Semiconductors, which will be used in future data sheets together with new contact details. In data sheets where the previous Philips references remain, please use the new links as shown

 9.1. Size:240K  philips
 bfg10wx.pdf pdf_icon

BFG10X

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFG10W/X UHF power transistor Product specification 1995 Sep 22 NXP Semiconductors Product specification UHF power transistor BFG10W/X FEATURES DESCRIPTION High efficiency NPN silicon planar epitaxial transistor encapsulated in a plastic, 4-pin Small size discrete power amplifier lfpage 4 3 dual-emitter SOT343N package. 900 MHz an

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BF257DCSM, BF258DCSM, BF422G, BF720T1G, BF721T1G, BF748, BF822W, BFG10WX, TIP3055, BFG520XR, BFR92AC1A, BFR92C1A, BFT29X, BFT30CSM, BFT30DCSM, BFT32A, BFT33A