BFT46DCSM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BFT46DCSM

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: LCC2

 Аналоги (замена) для BFT46DCSM

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BFT46DCSM даташит

 ..1. Size:10K  semelab
 bft46dcsm.pdf pdf_icon

BFT46DCSM

BFT46DCSM Dimensions in mm (inches). Dual Bipolar PNP Devices in a hermetically sealed LCC2 Ceramic Surface Mount Package for High Reliability 1.40 0.15 2.29 0.20 1.65 0.13 (0.055 0.006) (0.09 0.008) (0.065 0.005) Applications 2 3 1 4 Dual Bipolar PNP Devices. A 0.23 6 5 rad. (0.009) V = 250V CEO 6.22 0.13 A = 1.27 0.13 I = 0.5A C (0.0

 9.1. Size:47K  philips
 bft46 cnv 2.pdf pdf_icon

BFT46DCSM

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFT46 N-channel silicon FET December 1997 Product specification File under Discrete Semiconductors, SC07 Philips Semiconductors Product specification N-channel silicon FET BFT46 DESCRIPTION Symmetrical n-channel silicon epitaxial planar junction field-effect transistor in a microminiature plastic envelope. The transistor is intended for low leve

 9.2. Size:209K  philips
 bft46 cnv.pdf pdf_icon

BFT46DCSM

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET BFT46 N-channel silicon FET Product specification December 1997 NXP Semiconductors Product specification N-channel silicon FET BFT46 DESCRIPTION Symmetrical n-channel silicon epitaxial planar junction field-effect transistor in a microminiature plastic envelope. The transistor is intended for low level general purpose 3 handbook, halfpage

Другие транзисторы: BFT32A, BFT33A, BFT33B, BFT33L, BFT34A, BFT36A, BFT36L, BFT44S, A733, BFT57CSM, BFT57DCSM, BFT58CSM, BFT58DCSM, BFT59CSM, BFT59DCSM, BT2222, BT2222A