Справочник транзисторов. BFT46DCSM

 

Биполярный транзистор BFT46DCSM - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: BFT46DCSM
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
   Корпус транзистора: LCC2

 Аналоги (замена) для BFT46DCSM

 

 

BFT46DCSM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:10K  semelab
bft46dcsm.pdf

BFT46DCSM

BFT46DCSMDimensions in mm (inches). Dual Bipolar PNP Devices in a hermetically sealed LCC2 Ceramic Surface Mount Package for High Reliability 1.40 0.152.29 0.20 1.65 0.13(0.055 0.006)(0.09 0.008) (0.065 0.005)Applications 2 314Dual Bipolar PNP Devices. A0.236 5rad. (0.009) V = 250V CEO6.22 0.13 A = 1.27 0.13I = 0.5A C(0.0

 9.1. Size:47K  philips
bft46 cnv 2.pdf

BFT46DCSM
BFT46DCSM

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBFT46N-channel silicon FETDecember 1997Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC07Philips Semiconductors Product specificationN-channel silicon FET BFT46DESCRIPTIONSymmetrical n-channel siliconepitaxial planar junction field-effecttransistor in a microminiature plasticenvelope. The transistor is intendedfor low leve

 9.2. Size:209K  philips
bft46 cnv.pdf

BFT46DCSM
BFT46DCSM

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEETBFT46N-channel silicon FETProduct specification December 1997NXP Semiconductors Product specificationN-channel silicon FET BFT46DESCRIPTIONSymmetrical n-channel silicon epitaxial planar junction field-effect transistor in a microminiature plastic envelope. The transistor is intended for low level general purpose 3handbook, halfpage

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , BD777 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

 

 
Back to Top