BTB7150N3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BTB7150N3

Маркировка: AN

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для BTB7150N3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTB7150N3 даташит

 ..1. Size:257K  cystek
 btb7150n3.pdf pdf_icon

BTB7150N3

Spec. No. C661N3 Issued Date 2009.11.11 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/6 High Current PNP Digital Transistors (Built-in Resistors) BTB7150N3 Features Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). The bias resistors consist of thin-film resistors

 9.1. Size:311K  cystek
 btb718n3.pdf pdf_icon

BTB7150N3

Spec. No. C240N3 CYStech Electronics Corp. Issued Date 2013.02.19 Revised Date Page No. 1/8 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BTB718N3 Features Low VCE(sat), VCE(sat)=-0.3 V (max), at IC / IB = -2A / -0.1A Excellent current gain characteristics Pb-free lead plating and halogen-free package Symbol Outline SOT-23 BTB718N3 B Base C Col

Другие транзисторы: BT2222A, BT3904, BTA1012E3, BTA1015A3, BTA2039J3, BTB1184J3S, BTB1236AL3, BTB1426A3, 2SD313, BTB772SA3, BTC2328AK3, BTC4621K3, BTD1805D3, C2611, C3150, C3875S, C5344