BTB7150N3 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BTB7150N3 📄📄
Código: AN
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.225 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 100 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 100
Encapsulados: SOT23
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BTB7150N3 datasheet
btb7150n3.pdf
Spec. No. C661N3 Issued Date 2009.11.11 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/6 High Current PNP Digital Transistors (Built-in Resistors) BTB7150N3 Features Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). The bias resistors consist of thin-film resistors
btb718n3.pdf
Spec. No. C240N3 CYStech Electronics Corp. Issued Date 2013.02.19 Revised Date Page No. 1/8 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BTB718N3 Features Low VCE(sat), VCE(sat)=-0.3 V (max), at IC / IB = -2A / -0.1A Excellent current gain characteristics Pb-free lead plating and halogen-free package Symbol Outline SOT-23 BTB718N3 B Base C Col
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Parámetros del transistor bipolar y su interrelación.
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
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