BTB7150N3 Todos los transistores

 

BTB7150N3 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BTB7150N3
   Código: AN
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.225 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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BTB7150N3 Datasheet (PDF)

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BTB7150N3

Spec. No. : C661N3 Issued Date : 2009.11.11 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/6 High Current PNP Digital Transistors (Built-in Resistors) BTB7150N3 Features Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). The bias resistors consist of thin-film resistors

 9.1. Size:311K  cystek
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BTB7150N3

Spec. No. : C240N3 CYStech Electronics Corp. Issued Date : 2013.02.19 Revised Date : Page No. : 1/8 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BTB718N3 Features Low VCE(sat), VCE(sat)=-0.3 V (max), at IC / IB = -2A / -0.1A Excellent current gain characteristics Pb-free lead plating and halogen-free package Symbol Outline SOT-23 BTB718N3BBase CCol

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History: 2SC3279N

 

 
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