BTD1805D3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: BTD1805D3  📄📄 

Маркировка: D1805

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: TO126ML

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для BTD1805D3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTD1805D3 даташит

 ..1. Size:172K  cystek
 btd1805d3.pdf pdf_icon

BTD1805D3

Spec. No. C820D3 Issued Date 2005.03.29 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2005.04.20 Page No. 1/ 4 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BTD1805D3 Description The device is manufactured in NPN planar technology by using a Base Island layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage. Featur

 7.1. Size:276K  cystek
 btd1805i3.pdf pdf_icon

BTD1805D3

Spec. No. C820I3 Issued Date 2004.12.19 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.09.19 Page No. 1/ 8 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BTD1805I3 Description The device is manufactured in NPN planar technology by using a Base Island layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage. Featur

 7.2. Size:297K  cystek
 btd1805j3.pdf pdf_icon

BTD1805D3

Spec. No. C820J3 Issued Date 2004.12.19 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2010.12.08 Page No. 1/ 6 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BVCEO 60V IC 5A BTD1805J3 RCESAT 100m Description The device is manufactured in NPN planar technology by using a Base Island layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with ve

 7.3. Size:146K  cystek
 btd1805bt3.pdf pdf_icon

BTD1805D3

Spec. No. C820T3 Issued Date 2007.07.09 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/ 4 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BTD1805BT3 Description The device is manufactured in NPN planar technology by using a Base Island layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage. Features

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BTA2039J3, BTB1184J3S, BTB1236AL3, BTB1426A3, BTB7150N3, BTB772SA3, BTC2328AK3, BTC4621K3, 8550, C2611, C3150, C3875S, C5344, CA783, CBCX68-16, CBCX68-25, CBCX69-16