CE1N2R datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CE1N2R  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 1000

Корпус транзистора: TO92

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для CE1N2R

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CE1N2R даташит

 ..1. Size:252K  renesas
 ce1n2r.pdf pdf_icon

CE1N2R

2010 4 1 NEC

Другие транзисторы: C5344, CA783, CBCX68-16, CBCX68-25, CBCX69-16, CBCX69-25, CD066, CD77-2, 2N4401, CE2F3P, CEN-U01A, CEN-U05, CEN-U06, CEN-U07, CEN-U10, CEN-U45, CEN-U51A