CE1N2R Datasheet, Equivalent, Cross Reference Search

Type Designator: CE1N2R

Material of Transistor: Si

Polarity: NPN

Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 1 W

Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 60 V

Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 60 V

Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 15 V

Maximum Collector Current |Ic max|: 2 A

Max. Operating Junction Temperature (Tj): 150 °C

Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 1000

Noise Figure, dB: -

Package: TO92

CE1N2R Datasheet (PDF)

1.1. ce1n2r.pdf Size:252K _upd

お客様各位カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010年4月1日を以ってNECエレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し、両社の全ての事業が当社に承継されております。従いまして、本資料中には旧社名での表記が残っておりますが、当社の資料として有効です

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