CE1N2R Datasheet, Equivalent, Cross Reference Search

Type Designator: CE1N2R

Material of Transistor: Si

Polarity: NPN

Maximum Collector Power Dissipation (Pc): 1 W

Maximum Collector-Base Voltage |Vcb|: 60 V

Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce|: 60 V

Maximum Emitter-Base Voltage |Veb|: 15 V

Maximum Collector Current |Ic max|: 2 A

Max. Operating Junction Temperature (Tj): 150 °C

Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN: 1000

Noise Figure, dB: -

Package: TO92

CE1N2R Datasheet (PDF)

1.1. ce1n2r.pdf Size:252K _upd

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