CH867UPNGP. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: CH867UPNGP
Маркировка: U10
Тип материала: Si
Полярность: NPN*PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120
Корпус транзистора: SOT363
Аналоги (замена) для CH867UPNGP
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
CH867UPNGP даташит
ch867upngp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CH867UPNGP SURFACE MOUNT PNP&NPN Muti-Chip General Purpose Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 150 mAmperes APPLICATION * AF input stages and driver applicationon equipment. * Other general purpose applications. FEATURE SC-88/SOT-363 * Small surface mounting type. (SC-88/SOT-363) * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector
ch867unpgp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CH867UNPGP SURFACE MOUNT PNP&NPN Muti-Chip General Purpose Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 150 mAmperes APPLICATION * AF input stages and driver applicationon equipment. * Other general purpose applications. FEATURE SC-88/SOT-363 * Small surface mounting type. (SC-88/SOT-363) * High current gain. * Suitable for high packing density. * Low colloector
ech8673.pdf
ECH8673 Ordering number ENA1892 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device ECH8673 Applications Features ON-resistance Nch RDS(on)1=65m (typ.), Pch ON-resistance RDS(on)1=125m (typ.) 4V drive Halogen free compliance Nch+Pch MOSFET Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Paramet
ech8674.pdf
ECH8674 Ordering number ENA1436 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device ECH8674 Applications Features 1.8V drive. Composite type, facilitating high-density mounting. Halogen free compliance. Specifications at Ta=25 C Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS --1
Другие транзисторы: CH837UPNGP, CH847BGP, CH847SGP, CH847UPNGP, CH848BGP, CH857SGP, CH858BGP, CH867UNPGP, 2N3055, CH882GP, CHBTA13GP, CHUMT1GP, CHUMX1GP, CHUMY1GP, CHUMZ1GP, CJ10P20DE6, CJ201NL
History: 2SA1980U | FC156
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sa726 transistor | 7506 mosfet | irlr8726 datasheet | ru7088r mosfet | mp40 transistor | fgpf4636 datasheet | 2sc1945 | c2383







