Биполярный транзистор D45H8G Даташит. Аналоги
Наименование производителя: D45H8G
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 160 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO-220
- подбор биполярного транзистора по параметрам
D45H8G Datasheet (PDF)
d45h8g.pdf

D44H Series (NPN),D45H Series (PNP)Preferred DevicesComplementary SiliconPower TransistorsThese series of plastic, silicon NPN and PNP power transistors canbe used as general purpose power amplification and switching suchhttp://onsemi.comas output or driver stages in applications such as switching regulators,converters and power amplifiers.10 AMP COMPLEMENTARYFeaturesSI
d45h5 d45h8 d45h11.pdf

D45H5D45H8 \ D45H11PNP SILICON POWER TRANSISTORS STM PREFERRED SALESTYPES LOW COLLECTOR-EMITTER SATURATIONVOLTAGE FAST SWITCHING SPEEDAPPLICATIONS GENERAL PURPOSE SWITCHING GENERAL PURPOSE SWITCHING ANDAMPLIFIER 321DESCRIPTION The D45H5, D45H8 and D45H11 are siliconTO-220multiepitaxial planar PNP transistors mounted inJedec TO-220 plastic package.They
d44h8 d44h11 d45h8 d45h11.pdf

D44H8 - D44H11D45H8 - D45H11Complementary power transistors .Features Low collector-emitter saturation voltageTAB Fast switching speedApplications Power amplifier32 Switching circuits1TO-220DescriptionThe devices are manufactured in low voltage multi epitaxial planar technology. They are intended for Figure 1. Internal schematic diagramgeneral p
d44h8 d44h11 d45h8-d45h11.pdf

D44H8 - D44H11D45H8 - D45H11Complementary power transistors .Features Low collector-emitter saturation voltageTAB Fast switching speedApplications Power amplifier32 Switching circuits1TO-220DescriptionThe devices are manufactured in low voltage multi epitaxial planar technology. They are intended for Figure 1. Internal schematic diagramgeneral p
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: PN4142 | SGSIF444 | MRF839 | RN2907FE | KSC5327 | MS1329
History: PN4142 | SGSIF444 | MRF839 | RN2907FE | KSC5327 | MS1329



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
a1693 datasheet | bdw94c equivalent | c2389 | c495 transistor | c5242 reemplazo | d667 transistor datasheet | hy1d datasheet | mp20a transistor