D45H8G datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: D45H8G 📄📄
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 160 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40
Корпус транзистора: TO-220
📄📄 Копировать
Аналоги (замена) для D45H8G
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
D45H8G даташит
d45h8g.pdf
D44H Series (NPN), D45H Series (PNP) Preferred Devices Complementary Silicon Power Transistors These series of plastic, silicon NPN and PNP power transistors can be used as general purpose power amplification and switching such http //onsemi.com as output or driver stages in applications such as switching regulators, converters and power amplifiers. 10 AMP COMPLEMENTARY Features SI
d45h5 d45h8 d45h11.pdf
D45H5 D45H8 D45H11 PNP SILICON POWER TRANSISTORS STM PREFERRED SALESTYPES LOW COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE FAST SWITCHING SPEED APPLICATIONS GENERAL PURPOSE SWITCHING GENERAL PURPOSE SWITCHING AND AMPLIFIER 3 2 1 DESCRIPTION The D45H5, D45H8 and D45H11 are silicon TO-220 multiepitaxial planar PNP transistors mounted in Jedec TO-220 plastic package. They
d44h8 d44h11 d45h8 d45h11.pdf
D44H8 - D44H11 D45H8 - D45H11 Complementary power transistors . Features Low collector-emitter saturation voltage TAB Fast switching speed Applications Power amplifier 3 2 Switching circuits 1 TO-220 Description The devices are manufactured in low voltage multi epitaxial planar technology. They are intended for Figure 1. Internal schematic diagram general p
d44h8 d44h11 d45h8-d45h11.pdf
D44H8 - D44H11 D45H8 - D45H11 Complementary power transistors . Features Low collector-emitter saturation voltage TAB Fast switching speed Applications Power amplifier 3 2 Switching circuits 1 TO-220 Description The devices are manufactured in low voltage multi epitaxial planar technology. They are intended for Figure 1. Internal schematic diagram general p
Другие транзисторы: D29D30, D304X, D3DD9D, D44H11G, D44H8G, D44VH10G, D45H11G, D45H1B, MJE340, D45VH10G, D471A, D596, D882H, D882M, D965ASS, D965-R, D965SS
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
a1693 datasheet | bdw94c equivalent | c2389 | c495 transistor | c5242 reemplazo | d667 transistor datasheet | hy1d datasheet | mp20a transistor







