Справочник транзисторов. DK30

 

Биполярный транзистор DK30 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: DK30
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO-3

 Аналоги (замена) для DK30

 

 

DK30 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:25K  shaanxi
dk30.pdf

DK30

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China DK30NPN Silicon High Power Switching Transistor Features: 1. Good switching character. Excellent capacity in anti-burnout. 2. Good temperature stability. Small saturation voltage drop. Good voltage resistance. 3. Implementation of standards: GJB33A -97, QZJ840611A, QZJ840611 4. Use for high power switch

 0.1. Size:190K  china
3dk3039.pdf

DK30

3DK3039(2SC3039) NPN PCM Tc=25 50 W ICM 7 A Tjm 175 Tstg -55~150 Rth 3 /W V(BR)CBO ICB=2mA 500 V V(BR)CEO ICE=2mA 400 V V(BR)EBO IEB=2mA 7.0 V ICBO VCB=150V 10 A IEBO VEB=150V 10 A IC=1A VBEsat 1.5 V IB=0.1A VCEsat 1.0

 0.2. Size:24K  shaanxi
dk300.pdf

DK30

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China DK300NPN Silicon High Power Switching Transistor Features: 1. Good switching character. Excellent capacity in anti-burnout. 2. Good temperature stability. Small saturation voltage drop. 3. Implementation of standards: GJB33A -97, QZJ840611A, QZJ840611 4. Use for high power switch circuit,switching volta

 0.3. Size:24K  shaanxi
dk301.pdf

DK30

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China DK301NPN Silicon High Power Switching Transistor Features: 1. Good switching character. Excellent capacity in anti-burnout. 2. Good temperature stability. Small saturation voltage drop. 3. Implementation of standards: GJB33A -97. 4. Use for high power switch circuit,switching voltage-stabilized sourcefy

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: BUV93

 

 
Back to Top