DK30 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DK30  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO-3

 Аналоги (замена) для DK30

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DK30 даташит

 ..1. Size:25K  shaanxi
 dk30.pdf pdf_icon

DK30

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China DK30 NPN Silicon High Power Switching Transistor Features 1. Good switching character. Excellent capacity in anti-burnout. 2. Good temperature stability. Small saturation voltage drop. Good voltage resistance. 3. Implementation of standards GJB33A -97, QZJ840611A, QZJ840611 4. Use for high power switch

 0.1. Size:190K  china
 3dk3039.pdf pdf_icon

DK30

3DK3039(2SC3039) NPN PCM Tc=25 50 W ICM 7 A Tjm 175 Tstg -55 150 Rth 3 /W V(BR)CBO ICB=2mA 500 V V(BR)CEO ICE=2mA 400 V V(BR)EBO IEB=2mA 7.0 V ICBO VCB=150V 10 A IEBO VEB=150V 10 A IC=1A VBEsat 1.5 V IB=0.1A VCEsat 1.0

 0.2. Size:24K  shaanxi
 dk300.pdf pdf_icon

DK30

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China DK300 NPN Silicon High Power Switching Transistor Features 1. Good switching character. Excellent capacity in anti-burnout. 2. Good temperature stability. Small saturation voltage drop. 3. Implementation of standards GJB33A -97, QZJ840611A, QZJ840611 4. Use for high power switch circuit,switching volta

 0.3. Size:24K  shaanxi
 dk301.pdf pdf_icon

DK30

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China DK301 NPN Silicon High Power Switching Transistor Features 1. Good switching character. Excellent capacity in anti-burnout. 2. Good temperature stability. Small saturation voltage drop. 3. Implementation of standards GJB33A -97. 4. Use for high power switch circuit,switching voltage-stabilized sourcefy

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: DK10, DK100, DK101, DK11, DK150, DK151, DK200, DK201, BC556, DK300, DK301, DK31, DK313, DK319, DK50, DK51, DMA20101