DK50 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DK50  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO-3

 Аналоги (замена) для DK50

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DK50 даташит

 ..1. Size:25K  shaanxi
 dk50.pdf pdf_icon

DK50

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China DK50 NPN Silicon High Power Switching Transistor Features 1. Good switching character. Excellent capacity in anti-burnout. 2. Good temperature stability. Small saturation voltage drop. Good voltage resistance. 3. Implementation of standards GJB33A -97, QZJ840611A, QZJ840611 4. Use for high power switch

 0.1. Size:113K  china
 3dk50.pdf pdf_icon

DK50

3DK50 NPN PCM TC=25 150 W ICM 25 A Tjm 175 Tstg -55 150 RthJC 1.17 /W V(BR)CBO ICB=3mA 200 V V(BR)CEO ICE=3mA 125 V V(BR)EBO IEB=3mA 7.0 V ICBO VCB=200V 1.0 mA ICEO VCE=10V 1.0 mA IEBO VEB=5V 1 mA VBEsat 1.6 IC=5A V IB

 0.2. Size:237K  inchange semiconductor
 3dk501d.pdf pdf_icon

DK50

isc Silicon NPN Power Transistor 3DK501D DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 450V(Min.) (BR)CEO DC Current Gain h = 20(Min.)@I = 10A FE C Collector-Emitter Saturation Voltage- V )= 1.2V(Max)@ I = 10A CE(sat C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for B&W TV horizontal output , regul

Другие транзисторы: DK200, DK201, DK30, DK300, DK301, DK31, DK313, DK319, 2N2907, DK51, DMA20101, DMA20201, DMA20401, DMA20402, DMA20403, DMA204A0, DMA20601