DMBT9018. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DMBT9018

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 600 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 28

Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для DMBT9018

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

DMBT9018 даташит

 ..1. Size:77K  dc components
 dmbt9018.pdf pdf_icon

DMBT9018

DC COMPONENTS CO., LTD. DMBT9018 DISCRETE SEMICONDUCTORS R TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for use in AM/FM amplifier and local oscillator of FM/VHF tuner. SOT-23 .020(0.50) Pinning .012(0.30) 1 = Base 2 = Emitter 3 .063(1.60) .108(0.65) 3 = Collector .055(1.40) .089(0.25) 1 2 Absolute Maximum Ratings(TA=25oC) .045(1.15) .034

 7.1. Size:173K  dc components
 dmbt9012.pdf pdf_icon

DMBT9018

DC COMPONENTS CO., LTD. DMBT9012 DISCRETE SEMICONDUCTORS R TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for low frequency amplifier applications. SOT-23 .020(0.50) Pinning .012(0.30) 1 = Base 2 = Emitter 3 3 = Collector .063(1.60) .108(0.65) .055(1.40) .089(0.25) 1 2 Absolute Maximum Ratings(TA=25oC) .045(1.15) .034(0.85) .091(2.30) Cha

 7.2. Size:144K  dc components
 dmbt9013.pdf pdf_icon

DMBT9018

DC COMPONENTS CO., LTD. DMBT9013 DISCRETE SEMICONDUCTORS R TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for low frequency amplifier applications. SOT-23 .020(0.50) Pinning .012(0.30) 1 = Base 2 = Emitter 3 3 = Collector .063(1.60) .108(0.65) .055(1.40) .089(0.25) 1 2 Absolute Maximum Ratings(TA=25oC) .045(1.15) .034(0.85) .091(2.30) Cha

 7.3. Size:157K  dc components
 dmbt9014.pdf pdf_icon

DMBT9018

DC COMPONENTS CO., LTD. DMBT9014 DISCRETE SEMICONDUCTORS R TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description Designed for use in pre-amplifier of low level and low noise. SOT-23 .020(0.50) .012(0.30) Pinning 1 = Base 3 2 = Emitter .063(1.60) .108(0.65) 3 = Collector .055(1.40) .089(0.25) 1 2 Absolute Maximum Ratings(TA=25oC) .045(1.15) .034(0.85) .

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: DMBT4403, DMBT5401, DMBT5551, DMBT8050, DMBT8550, DMBT9012, DMBT9013, DMBT9014, D882P, DMBTA42, DMBTA44, DMC20101, DMC201A0, DMC201E0, DMC20201, DMC20401, DMC20402