L2SC3838QLT1G - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

L2SC3838QLT1G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: L2SC3838QLT1G
   Маркировка: APQ
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 11 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1400 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.8 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для L2SC3838QLT1G

 

L2SC3838QLT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:78K  lrc
 l2sc3838qlt1g.pdf pdf_icon

L2SC3838QLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. High-Frequency Amplifier Transistor L2SC3838QLT1G Features 1.High transition frequency.(Typ.fT=3.2GHz) S-L2SC3838QLT1G 2.Small rbb Cc and high gain.(Typ.4ps) 3.Small NF. 4.We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 3 4.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AE

 6.1. Size:78K  lrc
 l2sc3838lt1g.pdf pdf_icon

L2SC3838QLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. High-Frequency Amplifier Transistor Features L2SC3838LT1G 1.High transition frequency.(Typ.fT=3.2GHz) S-L2SC3838LT1G 2.Small rbb Cc and high gain.(Typ.4ps) 3.Small NF. 4.We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 3 5.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-

 6.2. Size:78K  lrc
 l2sc3838lt1g l2sc3838lt3g.pdf pdf_icon

L2SC3838QLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. High-Frequency Amplifier Transistor Features L2SC3838LT1G 1.High transition frequency.(Typ.fT=3.2GHz) S-L2SC3838LT1G 2.Small rbb Cc and high gain.(Typ.4ps) 3.Small NF. 4.We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 3 5.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-

 6.3. Size:58K  lrc
 l2sc3838nlt1g.pdf pdf_icon

L2SC3838QLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. High-Frequency Amplifier Transistor L2SC3838NLT1G Features 1.High transition frequency.(Typ.fT=3.2GHz) 3 2.Small rbb Cc and high gain.(Typ.4ps) 3.Small NF. 4.We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 1 2 MAXIMUM RATINGS (T = 25 C unless otherwise noted) A Parameter Symbol Value Unit Collector-Base Voltage V 20 V CBO

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... EMT2FHA , EMT3 , EMT3FHA , L2SA1577QT1G , L2SA1577RT1G , L2SA2030M3T5G , L2SC3837QLT1G , L2SC3837T1G , 9014 , L2SC4226T1G , L2SC5343QLT1G , L2SC5343RLT1G , L2SC5343SLT1G , L2SC5635LT1G , L2SD1781KQLT1G , L8050HSLT1G , L8550HSLT1G .

History: 2SA1036-P | DDTA114WUA | 2SC3526 | BD375-10 | DDTA124XKA | RN1506 | TI810

 

 
Back to Top

 


 
.