L2SC3838QLT1G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: L2SC3838QLT1G  📄📄 

Маркировка: APQ

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 11 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1400 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 0.8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: SOT-23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для L2SC3838QLT1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

L2SC3838QLT1G даташит

 ..1. Size:78K  lrc
 l2sc3838qlt1g.pdf pdf_icon

L2SC3838QLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. High-Frequency Amplifier Transistor L2SC3838QLT1G Features 1.High transition frequency.(Typ.fT=3.2GHz) S-L2SC3838QLT1G 2.Small rbb Cc and high gain.(Typ.4ps) 3.Small NF. 4.We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 3 4.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AE

 6.1. Size:78K  lrc
 l2sc3838lt1g.pdf pdf_icon

L2SC3838QLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. High-Frequency Amplifier Transistor Features L2SC3838LT1G 1.High transition frequency.(Typ.fT=3.2GHz) S-L2SC3838LT1G 2.Small rbb Cc and high gain.(Typ.4ps) 3.Small NF. 4.We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 3 5.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-

 6.2. Size:78K  lrc
 l2sc3838lt1g l2sc3838lt3g.pdf pdf_icon

L2SC3838QLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. High-Frequency Amplifier Transistor Features L2SC3838LT1G 1.High transition frequency.(Typ.fT=3.2GHz) S-L2SC3838LT1G 2.Small rbb Cc and high gain.(Typ.4ps) 3.Small NF. 4.We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 3 5.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-

 6.3. Size:58K  lrc
 l2sc3838nlt1g.pdf pdf_icon

L2SC3838QLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. High-Frequency Amplifier Transistor L2SC3838NLT1G Features 1.High transition frequency.(Typ.fT=3.2GHz) 3 2.Small rbb Cc and high gain.(Typ.4ps) 3.Small NF. 4.We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 1 2 MAXIMUM RATINGS (T = 25 C unless otherwise noted) A Parameter Symbol Value Unit Collector-Base Voltage V 20 V CBO

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: EMT2FHA, EMT3, EMT3FHA, L2SA1577QT1G, L2SA1577RT1G, L2SA2030M3T5G, L2SC3837QLT1G, L2SC3837T1G, 9014, L2SC4226T1G, L2SC5343QLT1G, L2SC5343RLT1G, L2SC5343SLT1G, L2SC5635LT1G, L2SD1781KQLT1G, L8050HSLT1G, L8550HSLT1G