Справочник транзисторов. LBC807-25DMT1G

 

Биполярный транзистор LBC807-25DMT1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: LBC807-25DMT1G
   Маркировка: 5B
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.37 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160
   Корпус транзистора: SOT-457
 

 Аналог (замена) для LBC807-25DMT1G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

LBC807-25DMT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:171K  lrc
lbc807-25dmt1g.pdfpdf_icon

LBC807-25DMT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.LBC807-16DMT1GLBC807-25DMT1GDual General Purpose TransistorsLBC807-40DMT1GPNP DualsS-LBC807-16DMT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.S-LBC807-25DMT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Siteand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.S-LBC807-40DMT

 5.1. Size:254K  lrc
lbc807-25lt1g.pdfpdf_icon

LBC807-25DMT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsLBC807-16LT1GLBC807-25LT1GPNP SiliconLBC807-40LT1GFEATURES-LBC807-16LT1G Collector current capability IC = -500 mA. Collector-emitter voltage VCEO(max) = -45 V.S-LBC807-25LT1G General purpose switching and amplification.S-LBC807-40LT1G PNP complement: LBC807 Series. We declare that the material of product complia

 5.2. Size:78K  lrc
lbc807-25wt1g.pdfpdf_icon

LBC807-25DMT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsPNP SiliconFEATURE LBC807-25WT1GS-LBC807-25WT1G Collector current capability IC = -500 mA. Collector-emitter voltage VCEO(max) = -45 V. General purpose switching and amplification. PNP complement: LBC807 Series.3 We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other

 5.3. Size:78K  lrc
lbc807-25wt1g lbc807-25wt3g.pdfpdf_icon

LBC807-25DMT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsPNP SiliconFEATURE LBC807-25WT1GS-LBC807-25WT1G Collector current capability IC = -500 mA. Collector-emitter voltage VCEO(max) = -45 V. General purpose switching and amplification. PNP complement: LBC807 Series.3 We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other

Другие транзисторы... L2SC5635LT1G , L2SD1781KQLT1G , L8050HSLT1G , L8550HSLT1G , L9012 , L9013 , L9014 , LBC807-16DMT1G , 2SC2383Y , LBC807-40DMT1G , LBC817-16DMT1G , LBC817-16DPMT1G , LBC817-25DMT1G , LBC817-40DMT1G , LBC817-40DPMT1G , LBC846ADW1T1G , LBC847CPDW1T1G .

History: CT7653 | BD109 | ET6544 | 2N187A | 2SB378B | DTA113TKA | TIP31B

 

 
Back to Top

 


 
.