LBC807-25DMT1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LBC807-25DMT1G

Маркировка: 5B

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.37 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 160

Корпус транзистора: SOT-457

 Аналоги (замена) для LBC807-25DMT1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

LBC807-25DMT1G даташит

 ..1. Size:171K  lrc
 lbc807-25dmt1g.pdf pdf_icon

LBC807-25DMT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. LBC807-16DMT1G LBC807-25DMT1G Dual General Purpose Transistors LBC807-40DMT1G PNP Duals S-LBC807-16DMT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S-LBC807-25DMT1G S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. S-LBC807-40DMT

 5.1. Size:254K  lrc
 lbc807-25lt1g.pdf pdf_icon

LBC807-25DMT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors LBC807-16LT1G LBC807-25LT1G PNP Silicon LBC807-40LT1G FEATURE S-LBC807-16LT1G Collector current capability IC = -500 mA. Collector-emitter voltage VCEO(max) = -45 V. S-LBC807-25LT1G General purpose switching and amplification. S-LBC807-40LT1G PNP complement LBC807 Series. We declare that the material of product complia

 5.2. Size:78K  lrc
 lbc807-25wt1g.pdf pdf_icon

LBC807-25DMT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors PNP Silicon FEATURE LBC807-25WT1G S-LBC807-25WT1G Collector current capability IC = -500 mA. Collector-emitter voltage VCEO(max) = -45 V. General purpose switching and amplification. PNP complement LBC807 Series. 3 We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other

 5.3. Size:78K  lrc
 lbc807-25wt1g lbc807-25wt3g.pdf pdf_icon

LBC807-25DMT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. General Purpose Transistors PNP Silicon FEATURE LBC807-25WT1G S-LBC807-25WT1G Collector current capability IC = -500 mA. Collector-emitter voltage VCEO(max) = -45 V. General purpose switching and amplification. PNP complement LBC807 Series. 3 We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: L2SC5635LT1G, L2SD1781KQLT1G, L8050HSLT1G, L8550HSLT1G, L9012, L9013, L9014, LBC807-16DMT1G, 2SC5198, LBC807-40DMT1G, LBC817-16DMT1G, LBC817-16DPMT1G, LBC817-25DMT1G, LBC817-40DMT1G, LBC817-40DPMT1G, LBC846ADW1T1G, LBC847CPDW1T1G