Справочник транзисторов. MBT2222ADW1T1G

 

Биполярный транзистор MBT2222ADW1T1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MBT2222ADW1T1G
   Маркировка: 1P
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT-363
 

 Аналог (замена) для MBT2222ADW1T1G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MBT2222ADW1T1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:160K  onsemi
 mbt2222adw1t1g.pdf pdf_icon

MBT2222ADW1T1G

MBT2222ADW1T1GGeneral Purpose TransistorNPN SiliconFeatures Moisture Sensitivity Level: 1http://onsemi.com These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant(3) (2) (1)MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit Q1 Q2Collector-Emitter Voltage VCEO 40 VdcCollector-Base Voltage VCBO 75 Vdc(4) (5) (6)Emitter-Base Voltage VEBO 6.0 VdcCollector Cur

 0.1. Size:250K  lrc
 lmbt2222adw1t1g.pdf pdf_icon

MBT2222ADW1T1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Dual General Purpose TransistorsNPN SiliconLMBT2222ADW1T1GS-LMBT2222ADW1T1G We declare that material of product compliance with ROHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring65 Unique Site and Control Change Requirements;4AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.12MAXIMUM RATINGS3Rating Symbol Value UnitSC-

 0.2. Size:250K  lrc
 lmbt2222adw1t1g lmbt2222adw1t3g.pdf pdf_icon

MBT2222ADW1T1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Dual General Purpose TransistorsNPN SiliconLMBT2222ADW1T1GS-LMBT2222ADW1T1G We declare that material of product compliance with ROHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring65 Unique Site and Control Change Requirements;4AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.12MAXIMUM RATINGS3Rating Symbol Value UnitSC-

 1.1. Size:164K  onsemi
 mbt2222adw1t1.pdf pdf_icon

MBT2222ADW1T1G

MBT2222ADW1T1GGeneral Purpose TransistorNPN SiliconFeatures Moisture Sensitivity Level: 1http://onsemi.com These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant(3) (2) (1)MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit Q1 Q2Collector-Emitter Voltage VCEO 40 VdcCollector-Base Voltage VCBO 75 Vdc(4) (5) (6)Emitter-Base Voltage VEBO 6.0 VdcCollector Cur

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... M54585FP , M8050-C , M8050-D , M8050S , M8550S , MA42 , MA92 , MAG9413 , 2N5401 , MBT35200MT1G , MBT3904DW1T3G , MBT3906DW1T2G , MBT3946DW1T2G , MBT6517LT1 , MBTA06LT1 , RT3A66M , RT3A77M .

 

 
Back to Top

 


 
.