MBT2222ADW1T1G - описание и поиск аналогов

 

MBT2222ADW1T1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MBT2222ADW1T1G

Маркировка: 1P

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT-363

 Аналоги (замена) для MBT2222ADW1T1G

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MBT2222ADW1T1G даташит

 ..1. Size:160K  onsemi
mbt2222adw1t1g.pdfpdf_icon

MBT2222ADW1T1G

MBT2222ADW1T1G General Purpose Transistor NPN Silicon Features Moisture Sensitivity Level 1 http //onsemi.com These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant (3) (2) (1) MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit Q1 Q2 Collector-Emitter Voltage VCEO 40 Vdc Collector-Base Voltage VCBO 75 Vdc (4) (5) (6) Emitter-Base Voltage VEBO 6.0 Vdc Collector Cur

 0.1. Size:250K  lrc
lmbt2222adw1t1g.pdfpdf_icon

MBT2222ADW1T1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Dual General Purpose Transistors NPN Silicon LMBT2222ADW1T1G S-LMBT2222ADW1T1G We declare that material of product compliance with ROHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring 6 5 Unique Site and Control Change Requirements; 4 AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. 1 2 MAXIMUM RATINGS 3 Rating Symbol Value Unit SC-

 0.2. Size:250K  lrc
lmbt2222adw1t1g lmbt2222adw1t3g.pdfpdf_icon

MBT2222ADW1T1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Dual General Purpose Transistors NPN Silicon LMBT2222ADW1T1G S-LMBT2222ADW1T1G We declare that material of product compliance with ROHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring 6 5 Unique Site and Control Change Requirements; 4 AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable. 1 2 MAXIMUM RATINGS 3 Rating Symbol Value Unit SC-

 1.1. Size:164K  onsemi
mbt2222adw1t1.pdfpdf_icon

MBT2222ADW1T1G

MBT2222ADW1T1G General Purpose Transistor NPN Silicon Features Moisture Sensitivity Level 1 http //onsemi.com These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant (3) (2) (1) MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit Q1 Q2 Collector-Emitter Voltage VCEO 40 Vdc Collector-Base Voltage VCBO 75 Vdc (4) (5) (6) Emitter-Base Voltage VEBO 6.0 Vdc Collector Cur

Другие транзисторы... M54585FP , M8050-C , M8050-D , M8050S , M8550S , MA42 , MA92 , MAG9413 , C945 , MBT35200MT1G , MBT3904DW1T3G , MBT3906DW1T2G , MBT3946DW1T2G , MBT6517LT1 , MBTA06LT1 , RT3A66M , RT3A77M .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.