Справочник транзисторов. MBT2222ADW1T1G

 

Биполярный транзистор MBT2222ADW1T1G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: MBT2222ADW1T1G
   Маркировка: 1P
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT-363

 Аналоги (замена) для MBT2222ADW1T1G

 

 

MBT2222ADW1T1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:160K  onsemi
mbt2222adw1t1g.pdf

MBT2222ADW1T1G
MBT2222ADW1T1G

MBT2222ADW1T1GGeneral Purpose TransistorNPN SiliconFeatures Moisture Sensitivity Level: 1http://onsemi.com These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant(3) (2) (1)MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit Q1 Q2Collector-Emitter Voltage VCEO 40 VdcCollector-Base Voltage VCBO 75 Vdc(4) (5) (6)Emitter-Base Voltage VEBO 6.0 VdcCollector Cur

 0.1. Size:250K  lrc
lmbt2222adw1t1g.pdf

MBT2222ADW1T1G
MBT2222ADW1T1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Dual General Purpose TransistorsNPN SiliconLMBT2222ADW1T1GS-LMBT2222ADW1T1G We declare that material of product compliance with ROHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring65 Unique Site and Control Change Requirements;4AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.12MAXIMUM RATINGS3Rating Symbol Value UnitSC-

 0.2. Size:250K  lrc
lmbt2222adw1t1g lmbt2222adw1t3g.pdf

MBT2222ADW1T1G
MBT2222ADW1T1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Dual General Purpose TransistorsNPN SiliconLMBT2222ADW1T1GS-LMBT2222ADW1T1G We declare that material of product compliance with ROHS requirements. S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring65 Unique Site and Control Change Requirements;4AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.12MAXIMUM RATINGS3Rating Symbol Value UnitSC-

 1.1. Size:164K  onsemi
mbt2222adw1t1.pdf

MBT2222ADW1T1G
MBT2222ADW1T1G

MBT2222ADW1T1GGeneral Purpose TransistorNPN SiliconFeatures Moisture Sensitivity Level: 1http://onsemi.com These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliant(3) (2) (1)MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit Q1 Q2Collector-Emitter Voltage VCEO 40 VdcCollector-Base Voltage VCBO 75 Vdc(4) (5) (6)Emitter-Base Voltage VEBO 6.0 VdcCollector Cur

 1.2. Size:341K  willas
mmbt2222adw1t1.pdf

MBT2222ADW1T1G
MBT2222ADW1T1G

FM120-M MMBT2222ADW1T1WILLASTHRUDual General Purpose TransistorsFM1200-M 1.0A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS -20V- 200VSOD-123 PACKAGE Pb Free ProductPackage outlineFeatures Batch process design, excellent power dissipation offers better reverse leakage current and thermal resistance.SOD-123H Low profile surface mounted application in order to o

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 2SC945 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top