Справочник транзисторов. MBT35200MT1G

 

Биполярный транзистор MBT35200MT1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: MBT35200MT1G
   Маркировка: G4
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 85 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT-457
 

 Аналог (замена) для MBT35200MT1G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MBT35200MT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:152K  onsemi
 mbt35200mt1g.pdf pdf_icon

MBT35200MT1G

MBT35200MT1,SMBT35200MT1GHigh Current Surface Mount PNP SiliconSwitching Transistor for Load Management http://onsemi.comin Portable Applications35 VOLTSFeatures2.0 AMPS AEC-Q101 Qualified and PPAP CapablePNP TRANSISTOR S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueSite and Control Change Requirements Pb-Free Packages are Available*MAXIM

 0.1. Size:152K  onsemi
 mbt35200mt1 smbt35200mt1g.pdf pdf_icon

MBT35200MT1G

MBT35200MT1,SMBT35200MT1GHigh Current Surface Mount PNP SiliconSwitching Transistor for Load Management http://onsemi.comin Portable Applications35 VOLTSFeatures2.0 AMPS AEC-Q101 Qualified and PPAP CapablePNP TRANSISTOR S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueSite and Control Change Requirements Pb-Free Packages are Available*MAXIM

 3.1. Size:64K  onsemi
 mbt35200mt1-d.pdf pdf_icon

MBT35200MT1G

MBT35200MT1High Current SurfaceMount PNP SiliconSwitching Transistor forLoad Management inhttp://onsemi.comPortable Applications35 VOLTS2.0 AMPSMAXIMUM RATINGS (TA = 25C)PNP TRANSISTORRating Symbol Max UnitCollector-Emitter Voltage VCEO -35 VdcCOLLECTORCollector-Base Voltage VCBO -55 Vdc1, 2, 5, 6Emitter-Base Voltage VEBO -5.0 VdcCollector Current - Continuou

 3.2. Size:178K  onsemi
 mbt35200mt1.pdf pdf_icon

MBT35200MT1G

MBT35200MT1High Current Surface Mount PNP SiliconSwitching Transistor for Load Management in Portable Applicationshttp://onsemi.comFeatures35 VOLTS AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable2.0 AMPS S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniquePNP TRANSISTORSite and Control Change Requirements These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and a

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... M8050-C , M8050-D , M8050S , M8550S , MA42 , MA92 , MAG9413 , MBT2222ADW1T1G , 2N2222 , MBT3904DW1T3G , MBT3906DW1T2G , MBT3946DW1T2G , MBT6517LT1 , MBTA06LT1 , RT3A66M , RT3A77M , RT3C66M .

 

 
Back to Top

 


 
.