MBT35200MT1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MBT35200MT1G

Маркировка: G4

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 85 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT-457

 Аналоги (замена) для MBT35200MT1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MBT35200MT1G даташит

 ..1. Size:152K  onsemi
 mbt35200mt1g.pdf pdf_icon

MBT35200MT1G

MBT35200MT1, SMBT35200MT1G High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Load Management http //onsemi.com in Portable Applications 35 VOLTS Features 2.0 AMPS AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable PNP TRANSISTOR S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements Pb-Free Packages are Available* MAXIM

 0.1. Size:152K  onsemi
 mbt35200mt1 smbt35200mt1g.pdf pdf_icon

MBT35200MT1G

MBT35200MT1, SMBT35200MT1G High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Load Management http //onsemi.com in Portable Applications 35 VOLTS Features 2.0 AMPS AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable PNP TRANSISTOR S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements Pb-Free Packages are Available* MAXIM

 3.1. Size:64K  onsemi
 mbt35200mt1-d.pdf pdf_icon

MBT35200MT1G

MBT35200MT1 High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Load Management in http //onsemi.com Portable Applications 35 VOLTS 2.0 AMPS MAXIMUM RATINGS (TA = 25 C) PNP TRANSISTOR Rating Symbol Max Unit Collector-Emitter Voltage VCEO -35 Vdc COLLECTOR Collector-Base Voltage VCBO -55 Vdc 1, 2, 5, 6 Emitter-Base Voltage VEBO -5.0 Vdc Collector Current - Continuou

 3.2. Size:178K  onsemi
 mbt35200mt1.pdf pdf_icon

MBT35200MT1G

MBT35200MT1 High Current Surface Mount PNP Silicon Switching Transistor for Load Management in Portable Applications http //onsemi.com Features 35 VOLTS AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable 2.0 AMPS S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique PNP TRANSISTOR Site and Control Change Requirements These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and a

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: M8050-C, M8050-D, M8050S, M8550S, MA42, MA92, MAG9413, MBT2222ADW1T1G, C1815, MBT3904DW1T3G, MBT3906DW1T2G, MBT3946DW1T2G, MBT6517LT1, MBTA06LT1, RT3A66M, RT3A77M, RT3C66M