Биполярный транзистор MBT35200MT1G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MBT35200MT1G
Маркировка: G4
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 85 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT-457
Аналоги (замена) для MBT35200MT1G
MBT35200MT1G Datasheet (PDF)
mbt35200mt1g.pdf
MBT35200MT1,SMBT35200MT1GHigh Current Surface Mount PNP SiliconSwitching Transistor for Load Management http://onsemi.comin Portable Applications35 VOLTSFeatures2.0 AMPS AEC-Q101 Qualified and PPAP CapablePNP TRANSISTOR S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueSite and Control Change Requirements Pb-Free Packages are Available*MAXIM
mbt35200mt1 smbt35200mt1g.pdf
MBT35200MT1,SMBT35200MT1GHigh Current Surface Mount PNP SiliconSwitching Transistor for Load Management http://onsemi.comin Portable Applications35 VOLTSFeatures2.0 AMPS AEC-Q101 Qualified and PPAP CapablePNP TRANSISTOR S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueSite and Control Change Requirements Pb-Free Packages are Available*MAXIM
mbt35200mt1-d.pdf
MBT35200MT1High Current SurfaceMount PNP SiliconSwitching Transistor forLoad Management inhttp://onsemi.comPortable Applications35 VOLTS2.0 AMPSMAXIMUM RATINGS (TA = 25C)PNP TRANSISTORRating Symbol Max UnitCollector-Emitter Voltage VCEO -35 VdcCOLLECTORCollector-Base Voltage VCBO -55 Vdc1, 2, 5, 6Emitter-Base Voltage VEBO -5.0 VdcCollector Current - Continuou
mbt35200mt1.pdf
MBT35200MT1High Current Surface Mount PNP SiliconSwitching Transistor for Load Management in Portable Applicationshttp://onsemi.comFeatures35 VOLTS AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable2.0 AMPS S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniquePNP TRANSISTORSite and Control Change Requirements These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and a
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050