MBT6517LT1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MBT6517LT1

Маркировка: 1Z

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для MBT6517LT1

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

MBT6517LT1 даташит

 ..1. Size:60K  wej
 mbt6517lt1.pdf pdf_icon

MBT6517LT1

RoHS MBT6517LT1 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR * Collector Dissipation Pc=225mW(Ta=25 ) * Collector-Emitter Voltage Vceo=350V ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS at Ta=25 Characteristic Symbol Rating Collector-Base Voltage Vcbo 350 V Collector-Emitter Voltage Vceo 350 V 1. Emitter-Base Voltage Vebo 6 V 1.BASE 2.4 1.3 2.EMITTER Collector Current Ic 500

 0.1. Size:124K  onsemi
 mmbt6517lt1g.pdf pdf_icon

MBT6517LT1

MMBT6517L, NSVMMBT6517L High Voltage Transistor NPN Silicon http //onsemi.com Features NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring COLLECTOR Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 3 Qualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 1 Compliant BASE MAXIMUM RATINGS 2 Rating Symbol Value Unit EMITTER C

 0.2. Size:124K  onsemi
 nsvmmbt6517lt1g.pdf pdf_icon

MBT6517LT1

MMBT6517L, NSVMMBT6517L High Voltage Transistor NPN Silicon http //onsemi.com Features NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring COLLECTOR Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 3 Qualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 1 Compliant BASE MAXIMUM RATINGS 2 Rating Symbol Value Unit EMITTER C

 0.3. Size:156K  onsemi
 mmbt6517lt1.pdf pdf_icon

MBT6517LT1

MMBT6517LT1G High Voltage Transistor NPN Silicon Features These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS http //onsemi.com Compliant COLLECTOR 3 1 BASE MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Value Unit 2 EMITTER Collector - Emitter Voltage VCEO 350 V Collector -Base Voltage VCBO 350 V 3 Emitter - Base Voltage VEBO 5.0 V Base Current IB 25 mA 1 Collector Current - C

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: MA42, MA92, MAG9413, MBT2222ADW1T1G, MBT35200MT1G, MBT3904DW1T3G, MBT3906DW1T2G, MBT3946DW1T2G, TIP41, MBTA06LT1, RT3A66M, RT3A77M, RT3C66M, RT3C77M, RT3CLLM, RT3CRRM, RT3CXXM