Биполярный транзистор MBT6517LT1 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: MBT6517LT1
Маркировка: 1Z
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Корпус транзистора: SOT-23
Аналоги (замена) для MBT6517LT1
MBT6517LT1 Datasheet (PDF)
mbt6517lt1.pdf
RoHS MBT6517LT1 NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE TRANSISTOR * Collector Dissipation: Pc=225mW(Ta=25 ) * Collector-Emitter Voltage :Vceo=350V ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS at Ta=25 Characteristic Symbol RatingCollector-Base Voltage Vcbo 350 V Collector-Emitter Voltage Vceo 350 V 1.Emitter-Base Voltage Vebo 6 V 1.BASE2.41.32.EMITTERCollector Current Ic 500
mmbt6517lt1g.pdf
MMBT6517L,NSVMMBT6517LHigh Voltage TransistorNPN Siliconhttp://onsemi.comFeatures NSV Prefix for Automotive and Other Applications RequiringCOLLECTORUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q1013Qualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS1CompliantBASEMAXIMUM RATINGS2Rating Symbol Value UnitEMITTERC
nsvmmbt6517lt1g.pdf
MMBT6517L,NSVMMBT6517LHigh Voltage TransistorNPN Siliconhttp://onsemi.comFeatures NSV Prefix for Automotive and Other Applications RequiringCOLLECTORUnique Site and Control Change Requirements; AEC-Q1013Qualified and PPAP Capable These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS1CompliantBASEMAXIMUM RATINGS2Rating Symbol Value UnitEMITTERC
mmbt6517lt1.pdf
MMBT6517LT1GHigh Voltage TransistorNPN SiliconFeatures These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHShttp://onsemi.comCompliantCOLLECTOR31BASEMAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit 2EMITTERCollector - Emitter Voltage VCEO 350 VCollector -Base Voltage VCBO 350 V3Emitter - Base Voltage VEBO 5.0 VBase Current IB 25 mA1Collector Current - C
lmbt6517lt1g lmbt6517lt3g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.High Voltage TransistorsNPN SiliconLMBT6517LT1GWe declare that the material of productS-LMBT6517LT1Gcompliance with RoHS requirements.Ordering Information3Device Marking ShippingLMBT6 517LT1G3000/Tape&Reel1ZS-LMBT6 517LT1G 1LMBT6517LT3G10000/Tape&Reel1Z2S-LMBT6517LT3GSOT23 MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit3COLLECTO
lmbt6517lt1g.pdf
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.High Voltage TransistorsNPN SiliconLMBT6517LT1GWe declare that the material of productS-LMBT6517LT1Gcompliance with RoHS requirements.Ordering Information3Device Marking ShippingLMBT6 517LT1G3000/Tape&Reel1ZS-LMBT6 517LT1G 1LMBT6517LT3G10000/Tape&Reel1Z2S-LMBT6517LT3GSOT23 MAXIMUM RATINGSRating Symbol Value Unit3COLLECTO
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 13009 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
