Справочник транзисторов. PBSM5240PF

 

Биполярный транзистор PBSM5240PF Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PBSM5240PF
   Маркировка: 1G
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 140
   Корпус транзистора: SOT-1118
 

 Аналог (замена) для PBSM5240PF

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSM5240PF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:372K  nxp
 pbsm5240pf.pdf pdf_icon

PBSM5240PF

PBSM5240PF40 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor with N-channel Trench MOSFETRev. 2 20 April 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionCombination of PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor and N-channel Trench MOSFET. The device is housed in a leadless medium power SOT1118 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.1.2 Fea

 0.1. Size:855K  nxp
 pbsm5240pfh.pdf pdf_icon

PBSM5240PF

PBSM5240PFH40 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor with N-channel Trench MOSFETRev. 1 20 June 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionCombination of PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor and N-channel Trench Metal-Oxide Semiconductor Field- Effect Transistor (MOSFET). The device is housed in a leadless medium power DFN2020-6

Другие транзисторы... MBTA06LT1 , RT3A66M , RT3A77M , RT3C66M , RT3C77M , RT3CLLM , RT3CRRM , RT3CXXM , 13009 , PBSM5240PFH , PBSS2540MB , PBSS3515MB , PBSS3540MB , PBSS4021NX , PBSS4021NZ , PBSS4021PX , PBSS4021PZ .

History: UN221T | MRF453A | BFP91 | 2SB717GP

 

 
Back to Top

 


 
.