PBSM5240PF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PBSM5240PF

Маркировка: 1G

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 140

Корпус транзистора: SOT-1118

 Аналоги (замена) для PBSM5240PF

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSM5240PF даташит

 ..1. Size:372K  nxp
 pbsm5240pf.pdf pdf_icon

PBSM5240PF

PBSM5240PF 40 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor with N-channel Trench MOSFET Rev. 2 20 April 2011 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Combination of PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor and N-channel Trench MOSFET. The device is housed in a leadless medium power SOT1118 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 1.2 Fea

 0.1. Size:855K  nxp
 pbsm5240pfh.pdf pdf_icon

PBSM5240PF

PBSM5240PFH 40 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor with N-channel Trench MOSFET Rev. 1 20 June 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Combination of PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor and N-channel Trench Metal-Oxide Semiconductor Field- Effect Transistor (MOSFET). The device is housed in a leadless medium power DFN2020-6

Другие транзисторы: MBTA06LT1, RT3A66M, RT3A77M, RT3C66M, RT3C77M, RT3CLLM, RT3CRRM, RT3CXXM, TIP3055, PBSM5240PFH, PBSS2540MB, PBSS3515MB, PBSS3540MB, PBSS4021NX, PBSS4021NZ, PBSS4021PX, PBSS4021PZ