Биполярный транзистор PBSM5240PF - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: PBSM5240PF
Маркировка: 1G
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 140
Корпус транзистора: SOT-1118
Аналоги (замена) для PBSM5240PF
PBSM5240PF Datasheet (PDF)
pbsm5240pf.pdf
PBSM5240PF40 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor with N-channel Trench MOSFETRev. 2 20 April 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionCombination of PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor and N-channel Trench MOSFET. The device is housed in a leadless medium power SOT1118 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.1.2 Fea
pbsm5240pfh.pdf
PBSM5240PFH40 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor with N-channel Trench MOSFETRev. 1 20 June 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionCombination of PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor and N-channel Trench Metal-Oxide Semiconductor Field- Effect Transistor (MOSFET). The device is housed in a leadless medium power DFN2020-6
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
