PBSM5240PF . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PBSM5240PF
Código: 1G
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1.25 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.8 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 12 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 140
Paquete / Cubierta: SOT-1118
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar PBSM5240PF
PBSM5240PF Datasheet (PDF)
pbsm5240pf.pdf
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PBSM5240PF40 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor with N-channel Trench MOSFETRev. 2 20 April 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionCombination of PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor and N-channel Trench MOSFET. The device is housed in a leadless medium power SOT1118 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.1.2 Fea
pbsm5240pfh.pdf
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PBSM5240PFH40 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor with N-channel Trench MOSFETRev. 1 20 June 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionCombination of PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor and N-channel Trench Metal-Oxide Semiconductor Field- Effect Transistor (MOSFET). The device is housed in a leadless medium power DFN2020-6
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