PBSM5240PF Todos los transistores

 

PBSM5240PF . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PBSM5240PF
   Código: 1G
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1.25 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.8 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 12 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 140
   Paquete / Cubierta: SOT-1118
     - Selección de transistores por parámetros

 

PBSM5240PF Datasheet (PDF)

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PBSM5240PF

PBSM5240PF40 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor with N-channel Trench MOSFETRev. 2 20 April 2011 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionCombination of PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor and N-channel Trench MOSFET. The device is housed in a leadless medium power SOT1118 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.1.2 Fea

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PBSM5240PF

PBSM5240PFH40 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor with N-channel Trench MOSFETRev. 1 20 June 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionCombination of PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor and N-channel Trench Metal-Oxide Semiconductor Field- Effect Transistor (MOSFET). The device is housed in a leadless medium power DFN2020-6

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History: 25DB070D | DMA50401 | 2SD608A

 

 
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