PBSS4032NX. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PBSS4032NX

Маркировка: *6H

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4.7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 145 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 65 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 150

Корпус транзистора: SOT-89

 Аналоги (замена) для PBSS4032NX

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS4032NX даташит

 ..1. Size:191K  philips
 pbss4032nx.pdf pdf_icon

PBSS4032NX

PBSS4032NX 30 V, 4.7 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Rev. 01 1 April 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power and flat lead SOT89 (SC-62) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement PBSS4032PX. 1.2 Features and benefits Very low collector-emitter saturati

 ..2. Size:191K  nxp
 pbss4032nx.pdf pdf_icon

PBSS4032NX

PBSS4032NX 30 V, 4.7 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Rev. 01 1 April 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power and flat lead SOT89 (SC-62) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement PBSS4032PX. 1.2 Features and benefits Very low collector-emitter saturati

 5.1. Size:150K  philips
 pbss4032nd.pdf pdf_icon

PBSS4032NX

PBSS4032ND 30 V, 3.5 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Rev. 01 30 January 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT457 (SC-74) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement PBSS4032PD. 1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat Optimized switc

 5.2. Size:182K  philips
 pbss4032nt.pdf pdf_icon

PBSS4032NX

PBSS4032NT 30 V, 2.6 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Rev. 01 18 December 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement PBSS4032PT. 1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat Optimized sw

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: PBSS3540MB, PBSS4021NX, PBSS4021NZ, PBSS4021PX, PBSS4021PZ, PBSS4021SN, PBSS4021SP, PBSS4021SPN, 2SC2073, PBSS4032NZ, PBSS4032PX, PBSS4032PZ, PBSS4032SN, PBSS4032SP, PBSS4032SPN, PBSS4041NX, PBSS4041NZ