Справочник транзисторов. PBSS4032NX

 

Биполярный транзистор PBSS4032NX Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PBSS4032NX
   Маркировка: *6H
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2.5 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4.7 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 145 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 65 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 150
   Корпус транзистора: SOT-89
 

 Аналог (замена) для PBSS4032NX

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS4032NX Datasheet (PDF)

 ..1. Size:191K  philips
pbss4032nx.pdfpdf_icon

PBSS4032NX

PBSS4032NX30 V, 4.7 A NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 01 1 April 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power and flat lead SOT89 (SC-62) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBSS4032PX.1.2 Features and benefits Very low collector-emitter saturati

 ..2. Size:191K  nxp
pbss4032nx.pdfpdf_icon

PBSS4032NX

PBSS4032NX30 V, 4.7 A NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 01 1 April 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power and flat lead SOT89 (SC-62) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBSS4032PX.1.2 Features and benefits Very low collector-emitter saturati

 5.1. Size:150K  philips
pbss4032nd.pdfpdf_icon

PBSS4032NX

PBSS4032ND30 V, 3.5 A NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 01 30 January 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT457 (SC-74) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBSS4032PD.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat Optimized switc

 5.2. Size:182K  philips
pbss4032nt.pdfpdf_icon

PBSS4032NX

PBSS4032NT30 V, 2.6 A NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 01 18 December 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBSS4032PT.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat Optimized sw

Другие транзисторы... PBSS3540MB , PBSS4021NX , PBSS4021NZ , PBSS4021PX , PBSS4021PZ , PBSS4021SN , PBSS4021SP , PBSS4021SPN , S9014 , PBSS4032NZ , PBSS4032PX , PBSS4032PZ , PBSS4032SN , PBSS4032SP , PBSS4032SPN , PBSS4041NX , PBSS4041NZ .

History: PBSS4032NZ | MP4013 | BFP540 | MP4005 | KT301E | KT506B | 2SC756A

 

 
Back to Top

 


 
.