Справочник транзисторов. PBSS4032NZ

 

Биполярный транзистор PBSS4032NZ Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PBSS4032NZ
   Маркировка: PB4032NZ
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4.9 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 145 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 65 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 150
   Корпус транзистора: SOT-223
 

 Аналог (замена) для PBSS4032NZ

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS4032NZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:196K  philips
pbss4032nz.pdfpdf_icon

PBSS4032NZ

PBSS4032NZ30 V, 4.9 A NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 01 31 March 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power SOT223 (SC-73) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBSS4032PZ.1.2 Features and benefits Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

 ..2. Size:196K  nxp
pbss4032nz.pdfpdf_icon

PBSS4032NZ

PBSS4032NZ30 V, 4.9 A NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 01 31 March 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power SOT223 (SC-73) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBSS4032PZ.1.2 Features and benefits Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

 5.1. Size:150K  philips
pbss4032nd.pdfpdf_icon

PBSS4032NZ

PBSS4032ND30 V, 3.5 A NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 01 30 January 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT457 (SC-74) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBSS4032PD.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat Optimized switc

 5.2. Size:182K  philips
pbss4032nt.pdfpdf_icon

PBSS4032NZ

PBSS4032NT30 V, 2.6 A NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 01 18 December 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBSS4032PT.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat Optimized sw

Другие транзисторы... PBSS4021NX , PBSS4021NZ , PBSS4021PX , PBSS4021PZ , PBSS4021SN , PBSS4021SP , PBSS4021SPN , PBSS4032NX , 2SC4793 , PBSS4032PX , PBSS4032PZ , PBSS4032SN , PBSS4032SP , PBSS4032SPN , PBSS4041NX , PBSS4041NZ , PBSS4041PX .

History: KT506B | MP4013 | 2SC756A | KT301E | MP4005 | BFP540 | 2SC3620

 

 
Back to Top

 


 
.