Справочник транзисторов. PBSS4032NZ

 

Биполярный транзистор PBSS4032NZ Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PBSS4032NZ
   Маркировка: PB4032NZ
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4.9 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 145 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 65 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 150
   Корпус транзистора: SOT-223
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

PBSS4032NZ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:196K  philips
pbss4032nz.pdfpdf_icon

PBSS4032NZ

PBSS4032NZ30 V, 4.9 A NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 01 31 March 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power SOT223 (SC-73) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBSS4032PZ.1.2 Features and benefits Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

 ..2. Size:196K  nxp
pbss4032nz.pdfpdf_icon

PBSS4032NZ

PBSS4032NZ30 V, 4.9 A NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 01 31 March 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power SOT223 (SC-73) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBSS4032PZ.1.2 Features and benefits Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

 5.1. Size:150K  philips
pbss4032nd.pdfpdf_icon

PBSS4032NZ

PBSS4032ND30 V, 3.5 A NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 01 30 January 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT457 (SC-74) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBSS4032PD.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat Optimized switc

 5.2. Size:182K  philips
pbss4032nt.pdfpdf_icon

PBSS4032NZ

PBSS4032NT30 V, 2.6 A NPN low VCEsat (BISS) transistorRev. 01 18 December 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionNPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.PNP complement: PBSS4032PT.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat Optimized sw

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: PN4142 | SGSIF444 | SM2284 | 2SC3648T | CMPT3820 | 2SC3649S

 

 
Back to Top

 


 
.